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公开(公告)号：CN114966367B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202210477752.1
申请日：2022-04-28
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G01R31/28 , G01R31/3181
摘要： 本发明涉及一种辐射效应检测系统及方法，具体涉及一种集成电路单粒子闭锁在线监测系统及方法，解决被测器件在发生单粒子闭锁的情况下，对被测器件执行断电和重新上电的操作难以满足新型器件的辐射效应测试要求，且现有闭锁控制方法造成控制计算机开销大，其增加了多参数并行测试的设计难度，同时该测试系统在通用性方面存在一定限制的技术问题，该集成电路单粒子闭锁在线监测系统，包括控制模块、数据收发模块、数据处理模块、电流监测模块、电流采集模块、供电控制模块、供电开关以及激励测试模块；具有较好的通用性。本发明还提供了一种集成电路单粒子闭锁在线监测方法，可以更为高效的实现集成电路单粒子闭锁在线监测及处理。
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公开(公告)号：CN114626205B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202210151802.7
申请日：2022-02-18
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明提供一种面阵光电图像传感器辐射瞬态响应的模拟方法及模拟装置，对射线或粒子辐射场环境下光电图像传感器辐射瞬态响应进行模拟，解决复杂辐射环境下面阵光电图像传感器辐射瞬态响应评估试验成本高、获取的有效数据少以及获取的数据难以全面反应在真实环境下的瞬态响应的问题，本发明模拟方法及模拟装置可实现对各种辐射环境下光电图像传感器的瞬态响应进行模拟，为不同辐射环境下的瞬态响应机理研究奠定基础，同时为基于人工智能的瞬态响应图像处理过程提供训练图像数据集。
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公开(公告)号：CN116625640A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310442820.5
申请日：2023-04-23
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明涉及一种辐射效应测试系统及方法，具体涉及一种辐照下面阵CCD的在线测试方法及测试系统，解决在开展面阵CCD辐射损伤效应地面模拟实验时，无法在线实时反馈面阵面阵CCD的工作情况以及辐照过程中性能参数实时变化规律的技术问题。该辐照下面阵CCD的在线测试方法，能够解决在开展CCD辐射损伤效应地面模拟实验时测试繁琐的问题，提高了实验效率，并且能获取辐照过程中的面阵CCD性能参数，本发明系统包括设置于辐照室内的辐射源、光源、驱动控制器、辐射板及设置于辐照室外且与驱动控制器连接的采集处理器；辐射板上设置有CCD驱动电路；辐射源和光源的出射光路上用于设置待辐照CCD器件，且CCD驱动电路与待辐照CCD器件连接。
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公开(公告)号：CN115629244A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211046618.2
申请日：2022-08-30
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明为解决有变剂量率辐照方法需要大量试验样品、试验成本高的问题，而提供了一种基于变剂量率辐照的双极器件抗总剂量性能保守估计方法。本发明具体为：首先，利用高剂量率加速双极器件的辐射损伤；其次，利用低剂量率辐照获取双极器件在低剂量率下的参数退化率；最后，假设试验样品在低剂量率下，其敏感参数的退化率没有明显变化，通过对低剂量率下的损伤曲线的线性外推，从而得到对试验样品总剂量效应失效阈值的估计，为具有低剂量率增强效应的双极器件抗总剂量性能评价提供了一种简单有效、操作性强的地面模拟试验方法。
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公开(公告)号：CN114500994A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210254515.9
申请日：2022-03-15
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H04N17/00
摘要： 本发明提供一种光电图像传感器辐射瞬态响应的测试方法，该方法解决了不同辐射环境下光电图像传感器瞬态响应典型特征及规律实验测试的问题，实现对瞬态响应快速、准确测试与分析，为应用于辐射环境下光电图像传感器辐射噪声处理、辐射信号识别提供技术支撑。为避免器件本底噪声的影响，本发明方法在开展测试时通过采集多帧暗场图像求均值，随后在数据处理过程中采用减去本底噪声的方法。为避免测试过程中器件发热对结果的影响，在开展瞬态响应测试时，首先对测试系统进行预热处理并进行监测，待温度稳定后开展测试。为避免辐射噪声对测试结果的影响，通过定期将光电图像传感器瞬态响应测试系统移出辐射场，或更换光电图像传感器。
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公开(公告)号：CN113203931B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110456924.2
申请日：2021-04-25
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供一种γ射线辐照后CCD饱和信号的原位测量系统及方法，该系统和方法能够有效降低现有测量系统在开展γ射线辐照实验时测试的繁琐度和实验人员的危险性，提高实验效率；同时，该系统和方法能获取辐照完成后短时间内的饱和信号参数，为研究CCD的60Coγ射线辐照总剂量效应提供测试技术支撑。该原位测量系统包括光源单元、辐射源单元、CCD辐照单元、信号处理单元和上位机；辐射源单元用于诱发CCD辐照单元产生电离损伤；光源单元用于给CCD辐照单元提供均匀光源，使其达到饱和工作状态；信号处理单元用于采集CCD辐照单元的图像数据，并将图像数据无线长距离的传输至上位机；上位机接收图像数据并对其进行处理，获得饱和信号的变化曲线。
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公开(公告)号：CN105911454B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201610240286.X
申请日：2016-04-18
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明涉及一种模块化数字集成电路辐射效应在线测试系统及测试方法，在总结现有数字集成电路辐射效应在线测试系统异同性的基础上，将效应测试中所需的各种功能电路划分为相对独立的模块，每个模块间的电气及机械连接、模块内的设计、系统板的机械结构等均使用现有的工业标准，从而实现系统可使用商用模块或自主研制的模块快速搭建，使之具有更好的可扩展性，从而节约硬件的设计时间及成本。可用于大多数弹星用数字集成电路的辐射效应在线测试。系统对促进这国辐射效应在线测试系统的规范化也具有重要作用。
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公开(公告)号：CN105911448B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201610240906.X
申请日：2016-04-18
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G01R31/265
摘要： 本发明涉及一种基于栅扫描法的双极器件总剂量辐射感生产物平均浓度提取方法，针对栅扫描法所测IB‑VG曲线由于界面态陷阱浓度小或多能级界面陷阱共同存在时，曲线峰值位置不明显，难以确定的问题，对栅扫描法进行了改进，提出在测量IB‑VG曲线的同时，测量IC‑VG曲线，并求取log(IC)‑VG曲线的拐点Vmg,C作为基区表面的耗尽电压，从而获取辐射感生产物的平均浓度方法。与文献所报导的栅扫描法和亚阈分离相结合的方法相比，该方法不需要额外使用亚阀分离方法来获取半带电压，且对不同的基区掺杂浓度的器件均具有很好的适用性，既简化了辐射感生产物的平均浓度分离的复杂度，又增加了准确性和适用性。
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公开(公告)号：CN116484613A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310444353.X
申请日：2023-04-23
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G06F30/20 , G06F30/10 , G06F119/12
摘要： 本发明涉及一种半导体器件总剂量效应仿真模拟方法，具体涉及一种伽马辐照诱发CIS暗信号的仿真计算方法，解决现有CMOS图像传感器总剂量辐射损伤的仿真模拟研究相对较少，难以开展不同辐照条件下空间粒子辐照损伤模拟研究，以对器件辐照损伤相关参数的退化机理进行深入分析的技术问题。该伽马辐照诱发CIS暗信号的仿真计算方法，包括以下步骤：1)建立CMOS图像传感器的像素单元结构模型；2)构建像素单元物理模型；3)建立CMOS图像传感器总剂量辐照模型；4)获得像素单元中FD区域电势随时间变化的曲线；5)采集电极FD复位结束时刻T3和PPD区域电子转移结束时刻T5的FD电势输出值，再计算二者差值，得到暗信号大小。
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公开(公告)号：CN114518498A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202111629083.7
申请日：2021-12-28
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明涉及空间总剂量效应，具体涉及基于终点对齐辐照的空间电子系统总剂量效应试验方法，用于解决现有电子系统总剂量效应试验方法不能完全保证电子系统抗总剂量性能评价的可靠性及准确性的不足之处。该基于终点对齐辐照的空间电子系统总剂量效应试验方法，结合电子系统试验的特点设计了方法一至方法四，使本发明相较于基于始点对齐的总剂量效应试验方法符合实际情况，且易于操作，保证了空间电子系统抗总剂量性能评价的准确性，以及航天器在轨安全可靠运行。
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