Invention Grant
- Patent Title: 层结构及制造其的方法、形成图案的方法以及半导体装置
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Application No.: CN201510426921.9Application Date: 2015-07-20
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Publication No.: CN105575775BPublication Date: 2019-08-13
- Inventor: 金旼秀 , 宋炫知 , 姜善惠 , 金成旻 , 金瑆焕 , 金永珉 , 金润俊 , 金惠廷 , 南沇希 , 白载烈 , 尹星莉 , 尹龙云 , 李忠宪 , 郑瑟基 , 赵妍熹 , 洪承希 , 黄善民 , 黄元宗 , 李松世 , 金命九 , 刘奈莉
- Applicant: 三星SDI株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号
- Assignee: 三星SDI株式会社
- Current Assignee: 三星SDI株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号
- Agency: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- Agent 杨贝贝; 臧建明
- Priority: 10-2014-0150602 2014.10.31 KR
- Main IPC: H01L21/027
- IPC: H01L21/027 ; H01L21/308 ; G03F1/46 ; G03F1/76 ; G03F7/00
Abstract:
本发明提供一种层结构及制造其的方法、形成图案的方法以及半导体装置，其中，制造层结构的方法包含通过将包含第一有机化合物的第一组合物涂覆到具有多个图案的衬底上形成第一有机层(S1)；将溶剂涂覆到第一有机层上以去除第一有机层的一部分(S2)；以及将包含第二有机化合物的第二组合物涂覆到其中的一部分被去除的第一有机层上并且经由固化过程形成第二有机层(S3)；从而可制造具有卓越平坦化特征的层结构，且无需单独的回蚀刻制程或化学机械抛光制程。
Public/Granted literature
- CN105575775A 层结构及制造其的方法、形成图案的方法以及半导体装置 Public/Granted day:2016-05-11
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IPC分类:
