发明公开
CN105576084A N型IBC电池结构及其制备方法
无效 - 撤回
- 专利标题: N型IBC电池结构及其制备方法
- 专利标题(英): N-type IBC cell structure and preparation method thereof
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申请号: CN201610152526.0申请日: 2016-03-17
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公开(公告)号: CN105576084A公开(公告)日: 2016-05-11
- 发明人: 董鹏 , 郭辉 , 屈小勇 , 张玉明
- 申请人: 西安电子科技大学 , 中电投西安太阳能电力有限公司
- 申请人地址: 陕西省西安市太白南路2号
- 专利权人: 西安电子科技大学,中电投西安太阳能电力有限公司
- 当前专利权人: 西安电子科技大学,中电投西安太阳能电力有限公司
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市太白南路2号
- 代理机构: 陕西电子工业专利中心
- 代理商 王品华; 朱红星
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18 ; H01L31/0216
摘要:
本发明公开了一种IBC电池结构及其制作工艺方法,主要解决现有技术制作IBC电池工艺复杂,制造成本高昂的问题。该N型IBC电池,包括减反层、硅片基体、掺杂层、钝化层及金属电极,其特征在于:减反层设在硅片基体的正面,硅掺杂层包括n+重掺杂层和p+重掺杂层,该n+重掺杂层和p+重掺杂层平行设在硅片基体的背面,钝化层设在n+重掺杂层和p+重掺杂层的上面;在n+重掺杂层、p+重掺杂层上引出金属电极至钝化层背面。本发明采用SiNx膜或叠层膜的减反层和钝化层简化了现有电池结构,提高了生产效率,减低了生产成本。