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公开(公告)号：CN105576084A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610152526.0
申请日：2016-03-17
申请人： 西安电子科技大学 , 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/02167 , H01L31/02168
摘要： 本发明公开了一种IBC电池结构及其制作工艺方法，主要解决现有技术制作IBC电池工艺复杂，制造成本高昂的问题。该N型IBC电池，包括减反层、硅片基体、掺杂层、钝化层及金属电极，其特征在于：减反层设在硅片基体的正面，硅掺杂层包括n+重掺杂层和p+重掺杂层，该n+重掺杂层和p+重掺杂层平行设在硅片基体的背面，钝化层设在n+重掺杂层和p+重掺杂层的上面；在n+重掺杂层、p+重掺杂层上引出金属电极至钝化层背面。本发明采用SiNx膜或叠层膜的减反层和钝化层简化了现有电池结构，提高了生产效率，减低了生产成本。
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公开(公告)号：CN105576048A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610152527.5
申请日：2016-03-17
申请人： 西安电子科技大学 , 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02168 , H01L31/02167 , H01L31/042 , H01L31/1804 , H01L31/1876
摘要： 本发明公开了一种简化的IBC电池结构及其制作工艺方法，主要解决现有技术制作IBC电池工艺复杂，制造成本高昂的问题。该IBC电池结构，包括：减反层、N型硅片基体、掺杂层、钝化层、负电极和正电极，其中：减反层设在N型硅片基体的正面，掺杂层包括n+掺杂层和p+掺杂层，该n+掺杂层和p+掺杂层平行交错设在N型硅片基体的背面，钝化层为SiNx膜，设在n+掺杂层和p+掺杂层背面，在n+掺杂层上引出负电极，在p+掺杂层上引出正电极，正负电极设在钝化层背面。本发明简化了现有电池结构中减反层和钝化层的结构和制作方法，提高了生产效率，减低了生产成本。
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公开(公告)号：CN104088018A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410267231.9
申请日：2014-06-16
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： C30B33/10
摘要： 本发明公开了一种单晶硅片制绒的清洗方法，通过在单晶制绒后用氢氟酸加盐酸的混酸清洗溶液进行两次清洗，第一次氢氟酸加盐酸清洗可以有效去除钠离子、钾离子等主要金属杂质，并去除硅片表面的薄层二氧化硅；第二次氢氟酸加盐酸清洗更进一步清洗硅片浅表层金属杂质(第一次清洗后残留的金属杂质)，另外去除硅片表面的二氧化硅层，达到有效的脱水效果。同时，本发明还公开了一种单晶制绒设备，通过在盐酸槽中同时引入盐酸管道与氢氟酸管道，在氢氟酸槽中同时引入氢氟酸管道与盐酸管道；从而可方便地获得盐酸与氢氟酸的混合溶液，方便进行上述单晶硅片制绒的清洗方法。
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公开(公告)号：CN104009102A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410267814.1
申请日：2014-06-16
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02168 , H01L31/068 , H01L31/1868
摘要： 本发明公开了一种背钝化层结构及其制备方法，该结构采用Al2O3薄膜与TiO2薄膜的叠层膜结构作为背钝化层结构，由于TiO2薄膜可以使用喷涂法由钛酸丁酯加热分解制得，具体可通过将硅片放置在加热基板上，将钛酸丁酯均匀喷涂在硅片上面，钛酸丁酯经高温分解而形成TiO2薄膜；因此其制备非常简单，不需要复杂的制备设备。与目前制备SiN薄膜的PECVD真空镀膜设备相比较，其设备占地空间小、设备结构简单、价格便宜。因而为常规产线进行背钝化电池改造提供了可能。同时，还公开了一种背钝化P型太阳能电池及其制备方法，该电池采用Al2O3薄膜与TiO2薄膜的叠层膜结构作为背钝化层结构。
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公开(公告)号：CN103762254A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410067320.9
申请日：2014-02-26
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022425
摘要： 本发明公开了一种电极栅线结构，包括至少一条主栅线及多条细栅线，主栅线与细栅线均相互垂直且相交；主栅线包括至少两个主栅线单元及至少一条细主栅线，主栅线单元的宽度大于细主栅线的宽度，细主栅线的宽度大于细栅线的宽度。本发明提供的电极栅线结构通过将主栅线设置成分段结构，从而可在将主栅线单元的宽度保持于两栅太阳能电池片、三栅太阳能电池片的主栅线的宽度一致的基础上降低细主栅线的宽度，因而可提高多栅太阳能电池片在组件加工过程中其主栅线与互联条的对准精度以及降低多栅太阳能电池片的金属电极的遮光面积，提高多栅太阳能电池片的转化效率。本发明还相应提供了带该电极栅线结构的多栅太阳能电池片及多栅太阳能电池组件。
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公开(公告)号：CN103413841A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310382593.8
申请日：2013-08-28
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池表面钝化层结构，该结构采用二氧化硅钝化膜与氮化硅钝化膜组成的叠层钝化膜结构，从而克服了氮化硅钝化膜的界面缺陷密度高和硅氢键不稳定的缺点，解决了二氧化硅钝化膜金属离子阻挡能力差，易吸附水气，光的减反效果不好等缺点；并且将二氧化硅钝化膜的厚度优化为10-40纳米，从而在保证光吸收率的基础上极大的增加对硅材料电活性杂质和表面缺陷的钝化效果，使得光生载流子的表面复合速率明显降低，可以使晶体硅的转化效率提高0.3%。同时，还公开了一种太阳能电池表面钝化层结构的制备方法，该方法采用热氧化工艺制备二氧化硅钝化膜，采用PECVD工艺制备氮化硅钝化膜，该方法可与太阳能电池制备工艺兼容。
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公开(公告)号：CN203760489U
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201420084656.1
申请日：2014-02-26
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/0224
摘要： 本实用新型公开了一种电极栅线结构，包括至少一条主栅线及多条细栅线，主栅线与细栅线均相互垂直且相交；主栅线包括至少两个主栅线单元及至少一条细主栅线，主栅线单元设置在主栅线长度方向的两端，且通过细主栅线连接；主栅线单元的宽度大于细主栅线的宽度，细主栅线的宽度大于细栅线的宽度。本实用新型提供的电极栅线结构通过将主栅线设置成分段结构，从而可在将主栅线单元的宽度保持于两栅太阳能电池片、三栅太阳能电池片的主栅线的宽度一致的基础上降低细主栅线的宽度，因而可提高多栅太阳能电池片在组件加工过程中其主栅线与互联条的对准精度以及降低多栅太阳能电池片的金属电极的遮光面积，提高多栅太阳能电池片的转化效率。
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公开(公告)号：CN203733815U
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201420083594.2
申请日：2014-02-26
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/0224
摘要： 本实用新型公开了一种多栅太阳能电池组件，包括至少两个多栅太阳能电池片，各电池片之间通过互联条实现互联，每个多栅太阳能电池片的正面设置有电极栅线结构，背面设置有多条分段式背电极和铝背场；该电极栅线结构包括多条主栅线和多条细栅线，主栅线包括至少两个主栅线单元及至少一条细主栅线；主栅线单元的宽度大于细主栅线的宽度，细主栅线的宽度大于细栅线的宽度。本实用新型提供的多栅太阳能电池组件通过将互联条的一端覆盖在一多栅太阳能电池片的主栅线单元上，另一端覆盖在相邻的另一多栅太阳能电池片背面的分段式背电极上，从而实现相邻两多栅太阳能电池片之间的互联。
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公开(公告)号：CN203456474U
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201320531195.3
申请日：2013-08-28
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/0216
摘要： 本实用新型公开了一种太阳能电池表面钝化层结构，该结构采用二氧化硅钝化膜与氮化硅钝化膜组成的叠层钝化膜结构，从而克服了氮化硅钝化膜的界面缺陷密度高和硅氢键不稳定的缺点，解决了二氧化硅钝化膜金属离子阻挡能力差，易吸附水气，光的减反效果不好等缺点；并且将二氧化硅钝化膜的厚度优化为10-40纳米，从而在保证光吸收率的基础上极大的增加对硅材料电活性杂质和表面缺陷的钝化效果，使得光生载流子的表面复合速率明显降低，可以使晶体硅的转化效率提高0.3%。
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公开(公告)号：CN205723556U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201620310634.1
申请日：2016-04-14
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0236
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本实用新型公开了一种N型IBC太阳能电池结构，包括硅片基体，硅片基体的正表面上设置有正面钝化减缓层，硅片基体的背表面上间隔设置有梳状的N+掺杂区和P+掺杂区；N+掺杂区和P+掺杂区的表面设置有背面钝化增反层；背面钝化增反层上设置有正电极和负电极，且正电极及负电极均贯穿背面钝化增反层，并分别与P+掺杂区及N+掺杂区电性连接。本实用新型提供的N型IBC太阳能电池结构，其硅片基体的正表面上仅设置有正面钝化减缓层，其背面的N+掺杂区和P+掺杂区上采用同一种背面钝化增反层，相对于现有的N型IBC太阳能电池结构而言，其结构大大简化。
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