本发明提供一种在制造半导体或光器件过程中用于化学/机械平面化端点检测的原位监测技术和设备。本发明的检测是以容性测量导电衬底上电介质层厚度来实现的。本测量涉及电介质层、平的电极结构物和将制品与电极结构物界接的液体。电极结构物包括一测量电极、一包围测该电极的绝缘体、一保护电极和包围它的另一绝缘体。测量时给测量电极和包围保护电极的自举配置中施加驱动电压，从而在无分流漏电阻的干扰作用下测量电介质电容。该方法和设备用于平面化抛光期间和其它过程中现场测量导电衬底上电介质的厚度。