发明授权
- 专利标题: 铜铟镓硒薄膜表面刻蚀的电化学处理方法
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申请号: CN201410619912.7申请日: 2014-11-06
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公开(公告)号: CN105633200B公开(公告)日: 2017-04-05
- 发明人: 何绪林 , 梅军 , 廖成 , 刘江 , 叶勤燕 , 刘焕明
- 申请人: 中物院成都科学技术发展中心
- 申请人地址: 四川省成都市青羊区八宝街90号
- 专利权人: 中物院成都科学技术发展中心
- 当前专利权人: 中物院成都科学技术发展中心
- 当前专利权人地址: 四川省成都市青羊区八宝街90号
- 代理机构: 四川力久律师事务所
- 代理商 曹晋玲; 刘雪莲
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18 ; H01L31/032
摘要:
本发明涉及太阳能电池技术领域,具体公开了铜铟镓硒薄膜表面刻蚀的电化学处理方法,包括步骤:将铜铟镓硒薄膜硒化后放置在电化学工作站,仅Mo层连接工作电极,在无水乙醇中浸泡;处理溶液为盐、无机酸和去离子水的混合溶液,盐为钠盐、钾盐、镁盐、锌盐或铜盐的任一种,无机酸调节处理溶液的pH值为1~6;铜铟镓硒薄膜放入处理溶液,施加电信号,处理后取出用去离子水冲洗,高纯氮气吹干,电信号为循环伏安电信号、恒压电信号、恒流电信号、脉冲电压电信号或脉冲电流电信号的任一种。本发明的方法能够选择性溶解铜铟镓硒薄膜表面的二次相(CuxSe),优化薄膜的表面质量,克服了腐蚀溶液体系对人体有害且不环保的缺点,利于工业化推广。
公开/授权文献
- CN105633200A 铜铟镓硒薄膜表面刻蚀的电化学处理方法 公开/授权日:2016-06-01
IPC分类: