- 专利标题： 基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的太赫兹肖特基二极管及制作方法
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申请号： CN201610015393.2申请日： 2016-01-11
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公开(公告)号： CN105679838B公开(公告)日： 2018-10-23
- 发明人: 杨林安 , 王晓燕 , 徐洋 , 严霏 , 郝跃
- 申请人： 西安电子科技大学
- 申请人地址： 陕西省西安市太白南路2号
- 专利权人： 西安电子科技大学
- 当前专利权人： 宁波铼微半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市太白南路2号
- 代理机构： 北京世誉鑫诚专利代理事务所
- 代理商 郭官厚
- 主分类号： H01L29/872
- IPC分类号： H01L29/872 ; H01L29/15 ; H01L21/329
摘要：
本发明公开了一种基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的GaN太赫兹肖特基二极管及其制作方法，主要解决现有GaN肖特基二极管掺杂迁移率低，串联电阻大，截止频率低的问题。包括主体部分和辅体部分，主体部分自下而上包括：(1)半绝缘SiC衬底、(2)GaN缓冲层、(3)AlGaN/GaN异质结多沟道层、(4)GaN帽层，辅体部分包括：(5)欧姆接触电极(阴极)、(6)肖特基势垒接触电极(阳极)、(7)空气桥、(8)背金层。其中：AlGaN/GaN异质结多沟道层采用AlGaN/GaN类超晶格结构，该类超晶格有2到6个周期，每个周期中GaN层和AlGaN层的厚度均为10‑20nm，且AlGaN层中的Al组分为30％。本发明能够避免传统的n型掺杂工艺，利用极化形成的多层二维电子气沟道来提高电子迁移率，减小串联电阻，提高截止频率，适用于太赫兹频段工作。
公开/授权文献
- CN105679838A 基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的太赫兹肖特基二极管及制作方法 公开/授权日：2016-06-15
IPC分类:
