- 专利标题: 台阶区域覆盖有超导覆盖层的超导电路结构及其制备方法
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申请号: CN201610070503.5申请日: 2016-02-01
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公开(公告)号: CN105702849B公开(公告)日: 2018-09-07
- 发明人: 熊伟 , 应利良 , 王会武 , 任洁 , 王镇
- 申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 申请人地址: 上海市长宁区长宁路865号
- 专利权人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人地址: 上海市长宁区长宁路865号
- 代理机构: 上海光华专利事务所
- 代理商 余明伟
- 主分类号: H01L39/24
- IPC分类号: H01L39/24 ; H01L39/22 ; H01L39/02
摘要:
本发明提供一种台阶区域覆盖有超导覆盖层的超导电路结构及其制备方法,包括:1)提供衬底,在衬底表面依次形成第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超导材料层的三层薄膜结构;2)分别刻蚀第二超导材料层、第一绝缘材料层及第一超导材料层以形成下电极及约瑟夫森结;3)在步骤2)得到的结构表面形成第二绝缘材料层;4)沉积旁路电阻材料层,并刻蚀旁路电阻材料层以形成旁路电阻;5)沉积第三超导材料层,并刻蚀第三超导材料层形成配线层及超导覆盖层。本发明可以确保位于下电极表面的旁路电阻与位于第二绝缘材料层表面的旁路电阻的导通,避免出现断路故障,保证了旁路电阻连通的稳定性,提高了超导电路结构的工作性能。
公开/授权文献
- CN105702849A 台阶区域覆盖有超导覆盖层的超导电路结构及其制备方法 公开/授权日:2016-06-22
IPC分类: