发明公开
- 专利标题: 一种择优生长ITO透明导电薄膜的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of preferred growing ITO transparent conductive film
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申请号: CN201610294685.4申请日: 2016-05-05
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公开(公告)号: CN105714262A公开(公告)日: 2016-06-29
- 发明人: 杜文汉 , 杨景景 , 刘珂琴 , 张燕 , 赵宇 , 熊超
- 申请人: 常州工学院
- 申请人地址: 江苏省常州市新北区巫山路1号
- 专利权人: 常州工学院
- 当前专利权人: 常州工学院
- 当前专利权人地址: 江苏省常州市新北区巫山路1号
- 代理机构: 南京知识律师事务所
- 代理商 高桂珍
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35 ; C23C14/08 ; C23C14/02 ; C23C14/06
摘要:
本发明公开了一种择优生长ITO透明导电薄膜的制备方法,其步骤包括清洗衬底;制备硫化锌缓冲薄膜;制备(222)择优取向的ITO薄膜。本发明采用磁控溅射技术,在洁净的玻璃基底上先沉积一层ZnS薄膜,通过控制玻璃基底温度得到具有(111)择优取向的ZnS;然后再通过控制制备工艺沉积ITO,即可得到具有(222)择优取向的ITO薄膜。本发明的择优生长ITO透明导电薄膜的制备方法,通过增加ZnS缓冲层,获得具有(222)择优取向的ITO薄膜,提高ITO的光电性能。