一种均匀掺杂一维稀磁半导体材料的制备方法
摘要:
本发明公开了一种均匀掺杂一维稀磁半导体材料的制备方法,包括以下制备步骤:称摩尔比为9:1~19:1的锌粉与金属氧化物,放入石英管底部;分别设置锌粉和金属氧化物的加热速率,密封管式炉,并充满保护气体后对石英管进行加热,当温度达到520℃后开始通入反应气体;在保护气体保护下,以10℃/min的升温速率加热石英管到600~800℃,通入氧气,其流速为20~40Sccm,一直到反应结束;最后在真空气氛下降温,至冷却至室温,取出样品直接进行表征。本发明实现了在ZnO纳米线中锰、钴等元素的均匀掺杂,而且,掺杂后母体中不产生杂相。本发明专利所描述方法适用于对多种金属氧化物进行掺杂,对氧化锌、氧化锰、氧化钴等以及钴酸镍、锰酸镍等多员金属氧化物。
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