发明授权
CN105731544B 一种均匀掺杂一维稀磁半导体材料的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种均匀掺杂一维稀磁半导体材料的制备方法
-
申请号: CN201610053385.7申请日: 2016-01-26
-
公开(公告)号: CN105731544B公开(公告)日: 2017-12-22
- 发明人: 罗永松 , 闫海龙 , 彭涛 , 陆阳 , 程晋炳 , 罗荣杰 , 候晓艺
- 申请人: 信阳师范学院
- 申请人地址: 河南省信阳市南湖路237号
- 专利权人: 信阳师范学院
- 当前专利权人: 信阳师范学院
- 当前专利权人地址: 河南省信阳市南湖路237号
- 代理机构: 南京苏高专利商标事务所
- 代理商 柏尚春
- 主分类号: H01L21/02
- IPC分类号: H01L21/02 ; C01G45/02 ; C01G9/03
摘要:
本发明公开了一种均匀掺杂一维稀磁半导体材料的制备方法,包括以下制备步骤:称摩尔比为9:1~19:1的锌粉与金属氧化物,放入石英管底部;分别设置锌粉和金属氧化物的加热速率,密封管式炉,并充满保护气体后对石英管进行加热,当温度达到520℃后开始通入反应气体;在保护气体保护下,以10℃/min的升温速率加热石英管到600~800℃,通入氧气,其流速为20~40Sccm,一直到反应结束;最后在真空气氛下降温,至冷却至室温,取出样品直接进行表征。本发明实现了在ZnO纳米线中锰、钴等元素的均匀掺杂,而且,掺杂后母体中不产生杂相。本发明专利所描述方法适用于对多种金属氧化物进行掺杂,对氧化锌、氧化锰、氧化钴等以及钴酸镍、锰酸镍等多员金属氧化物。
公开/授权文献
- CN105731544A 一种均匀掺杂一维稀磁半导体材料的制备方法 公开/授权日:2016-07-06
IPC分类: