本发明公开了一种浮栅及其制备方法。所述制备方法包括：在衬底上依次形成衬垫氧化层和保护介质层，对所述保护介质层、所述衬垫氧化层和所述衬底进行图像化处理，形成有源区和浅沟槽隔离区，并对所述浅沟槽隔离区进行氧化层填充；剥离剩余保护介质层形成第一凹槽；在所述第一凹槽内壁上形成侧墙；去除剩余衬垫氧化层，以保留靠近所述侧墙的浅沟槽氧化层；依次去除所述侧墙和多余的浅沟槽氧化层，形成第二凹槽；在所述第二凹槽内露出的有源区上形成隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层上形成栅极。本发明实施例提供的技术方案，在保证衬垫氧化层去除干净的前提下，避免了因相邻浮栅距离减小导致的浮栅器件的存储性能降低。