- 专利标题: 氯硅烷和多晶硅体表金属痕量杂质元素的前处理装置
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申请号: CN201610145266.4申请日: 2016-03-15
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公开(公告)号: CN105784459B公开(公告)日: 2019-05-21
- 发明人: 张福海 , 王生红 , 蔡延国 , 季静佳 , 陈兆峰 , 李晓琴 , 刘忠昌 , 王体虎
- 申请人: 亚洲硅业(青海)有限公司
- 申请人地址: 青海省西宁市城东经济开发区金硅路1号
- 专利权人: 亚洲硅业(青海)有限公司
- 当前专利权人: 亚洲硅业(青海)股份有限公司
- 当前专利权人地址: 青海省西宁市城东经济开发区金硅路1号
- 主分类号: G01N1/44
- IPC分类号: G01N1/44
摘要:
本发明旨在提供氯硅烷和多晶硅体表金属痕量杂质元素的前处理装置,其特征在于:多个小型独立的密闭装置主体与相对应地伸缩臂连接,所述小型独立的密闭装置主体包括内层接口和外层接口,内外层接口设有与样品瓶相匹配的螺纹,根据分析项目可连接不同尺寸的样品瓶,外层螺纹侧壁设有卡扣与保温外罩卡接。该密闭装置解决了对氯硅烷和多晶硅体金属和表金属痕量杂质元素的前处理,同时批量处理样品,且节省时间,实现了对前处理资源最大化利用。
公开/授权文献
- CN105784459A 氯硅烷和多晶硅体表金属痕量杂质元素的前处理方法 公开/授权日:2016-07-20