氯硅烷和多晶硅体表金属痕量杂质元素的前处理装置
摘要:
本发明旨在提供氯硅烷和多晶硅体表金属痕量杂质元素的前处理装置,其特征在于:多个小型独立的密闭装置主体与相对应地伸缩臂连接,所述小型独立的密闭装置主体包括内层接口和外层接口,内外层接口设有与样品瓶相匹配的螺纹,根据分析项目可连接不同尺寸的样品瓶,外层螺纹侧壁设有卡扣与保温外罩卡接。该密闭装置解决了对氯硅烷和多晶硅体金属和表金属痕量杂质元素的前处理,同时批量处理样品,且节省时间,实现了对前处理资源最大化利用。
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