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公开(公告)号：CN109455722A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811608503.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/107 , C01B33/03
Abstract: 本发明提供了一种多晶硅制备调控方法及装置，涉及化工业原料制备技术领域。该方法包括：将原料硅粉以及氯化氢合成炉合成的氯化氢送入三氯氢硅合成炉进行三氯氢硅合成；获取所述三氯氢硅合成炉的副产物中的STC含量、DCS含量以及HCL含量；基于所述STC含量、所述DCS含量以及所述HCL含量对所述三氯氢硅合成炉的控制参数进行调控。该方法在多晶硅制备过程中基于反应设备中的STC含量、DCS含量以及HCL含量进行实时调控，提高了多晶硅的制备效率、降低了原料损耗。
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公开(公告)号：CN107720757B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711115989.0
申请日：2017-11-13
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及多晶硅生产技术领域，公开了一种多晶硅还原炉停炉冷却方法及多晶硅还原炉冷却系统。多晶硅还原炉停炉冷却方法是利用被加热后的冷却气体对多晶硅还原炉进行吹扫，冷却气体在多个硅棒之间定向流动并从还原炉周围散逸同时带走热量。冷却气体的温度高于环境温度并低于还原炉中部的硅棒温度。这样经过预热的冷却气体与硅棒或者炉内部件的温差较小(相对环境气体)，在冷却过程中不容易产生炸裂。并且冷却气体的吹扫使得硅棒之间具有较快的气体流动，有利于冷却气体从还原炉中部的硅棒之间带走热量。多晶硅还原炉冷却系统包括了非接触式测温仪、加热装置、空气抽运泵、吹气装置以及连通以上各装置的管道。
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公开(公告)号：CN107720757A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711115989.0
申请日：2017-11-13
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及多晶硅生产技术领域，公开了一种多晶硅还原炉停炉冷却方法及多晶硅还原炉冷却系统。多晶硅还原炉停炉冷却方法是利用被加热后的冷却气体对多晶硅还原炉进行吹扫，冷却气体在多个硅棒之间定向流动并从还原炉周围散逸同时带走热量。冷却气体的温度高于环境温度并低于还原炉中部的硅棒温度。这样经过预热的冷却气体与硅棒或者炉内部件的温差较小(相对环境气体)，在冷却过程中不容易产生炸裂。并且冷却气体的吹扫使得硅棒之间具有较快的气体流动，有利于冷却气体从还原炉中部的硅棒之间带走热量。多晶硅还原炉冷却系统包括了非接触式测温仪、加热装置、空气抽运泵、吹气装置以及连通以上各装置的管道。
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公开(公告)号：CN106269230B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201610882714.9
申请日：2016-10-10
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: B03C1/02
Abstract: 本发明涉及一种硅颗粒料中石墨卡瓣杂质的去除方法，该方法包括以下步骤：⑴制作电磁铁装置；⑵将电磁铁装置铰接在传动机构一端的底部；⑶设置探测器、硅料输出口、杂质收集箱；⑷启动传动机构并匀速传输硅颗粒料；⑸当探测器探测到硅颗粒料完全落在空腔顶面的正面时，电磁铁电源自动开启；⑹当抗磁力与重力达到平衡时硅颗粒料中的石墨卡瓣稳定悬浮起来；电磁铁装置匀速旋转90度，悬浮的石墨卡瓣落在杂质收集箱里，硅颗粒料落入硅料输出口；⑺探测器探测到没有硅颗粒料时，电磁铁电源自动关闭；电磁铁装置再反方向旋转90度恢复，如此反复直至完成一批硅颗粒料的分拣。本发明工作效率高、节约人力成本。
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公开(公告)号：CN106927094A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710145616.1
申请日：2017-03-09
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
Abstract: 本发明提供一种多晶硅棒的自动包装装置及包装方法，属于多晶硅技术领域。切割装置位于第一传送带上方，旋转装置的两端分别与第一传送带的传送方向的端部以及倾斜板配合，包装箱设置于第二传送带并位于旋转装置的下方，倾斜板的远离旋转装置的一端与包装箱位置对应，包装槽设置于倾斜板，切割装置和旋转装置均与控制器电连接。将多晶硅棒放置于第一传送带上，并使用切割装置分切成小段。通过旋转装置从第一传送带往倾斜板移动。在位于倾斜板上的包装槽内进行薄膜包装。包装完成后继续通过倾斜板运输至第二传送带上的包装箱内储存。通过此装置此方法进行包装，完成了多晶硅棒的自动切割与包装，提高包装效率，避免包装过程中多晶硅棒的二次污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109399642B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201811605733.2
申请日：2018-12-25
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明提供了一种多晶硅取棒装置及方法，属于多晶硅准运领域。多晶硅取棒装置包括：洁净罩，洁净罩内具有密闭的容纳腔；取料机构，取料机构设置于容纳腔的内部；取料机构包括轨道、第一运载件以及机械臂，轨道设置为环形，第一运载件和轨道滑动连接，机械臂和第一运载件连接，第一运载件用于带动机械臂沿着轨道运动；转运机构，转运机构设置于容纳腔的内部；控制器，控制器分别和第一运载件、机械臂以及第二运载件电连接，控制器用于分别控制第一运载件、机械臂以及第二运载件。这种多晶硅取棒装置及方法可以在密闭的空间中进行，可以有效防止外界的物质对多晶硅棒造成污染，并且利用机械臂在轨道上进行转运，可以具有较高的工作效率。
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公开(公告)号：CN105784459B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201610145266.4
申请日：2016-03-15
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: G01N1/44
Abstract: 本发明旨在提供氯硅烷和多晶硅体表金属痕量杂质元素的前处理装置，其特征在于：多个小型独立的密闭装置主体与相对应地伸缩臂连接，所述小型独立的密闭装置主体包括内层接口和外层接口，内外层接口设有与样品瓶相匹配的螺纹，根据分析项目可连接不同尺寸的样品瓶，外层螺纹侧壁设有卡扣与保温外罩卡接。该密闭装置解决了对氯硅烷和多晶硅体金属和表金属痕量杂质元素的前处理，同时批量处理样品，且节省时间，实现了对前处理资源最大化利用。
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公开(公告)号：CN108579989A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810331271.3
申请日：2018-04-13
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅破碎装置及方法，包括有破碎机构、收集箱和控制系统，破碎机构包括有若干级，每一级均包括有对辊装置和筛板，对辊装置包括有破碎辊，筛板设置于破碎辊的下方，在每一筛板尾部设置有出料口；前一级破碎机构的出料口与后一级破碎机构的破碎辊对接，最后一级破碎机构的出料口与收集箱对接。本发明根据硅料的破碎情况自动选择破碎过程的级数，达到最佳的破碎效果，实现从多晶硅出炉到破碎，再到包装的生产一体化；通过探测器与控制系统连接，可自动启动多级破碎装置并自动调整对辊之间合适的间距，适应要求尺寸的硅块，使控制过程迅速、精确、高效；并且碳化钨块可根据使用情况进行定期更换，保持破碎效果的同时可降低成本。
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公开(公告)号：CN107500297A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710858756.3
申请日：2017-09-21
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明涉及晶体硅制备技术领域，旨在解决现有技术中颗粒硅籽晶制备的装置在制备颗粒硅籽晶的过程中极易产生硅粉尘，导致物料损失的问题，提供一种颗粒硅籽晶制备系统及方法。本发明提供的颗粒硅籽晶制备系统，多晶硅棒经破碎装置破碎后，得到多晶硅块料，多晶硅块料经熔融装置加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；将熔融多晶硅经分散装置分散为多晶硅液滴；多晶硅液滴在空中进行冷却凝固。液滴在表面张力作用下形成高球形度的球形液滴，球形液滴变为球形多晶硅固体颗粒。在本发明中采用激光器对多晶硅棒或多晶硅块进行破损，在破碎过程中没有引入其它物质，实现无接触式激光破碎，提高多晶硅棒或多晶硅块的纯度，且可得到高球度的多晶硅颗粒。
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公开(公告)号：CN106495163A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611004218.X
申请日：2016-11-15
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明公开了一种可消除多晶硅碳头料的装置，包括电极、石墨底座、卡瓣组及石墨帽，卡瓣组由石墨部分和多晶硅部分对接而成，石墨部分构成卡瓣组的主体结构并置于石墨底座上，多晶硅部分构成卡瓣组的上部结构，且多晶硅部分对接于石墨部分的顶部上面；在石墨帽的上表面覆盖有一层多晶硅保护壳。本发明具有以下优点：在还原炉内硅沉积到硅芯上的同时也沉积到卡瓣组多晶硅部分上，镶嵌在硅棒中的多晶硅部分无需处理，可直接利用，避免了由于石墨卡瓣造成的碳头料；多晶硅壳避免了硅棒与石墨帽接触，消除了碳污染和造成破损的可能性；石墨部分可循环利用，节约生产成本；提升了产品质量、提高了硅料利用率、节省了人力资源和经济成本。
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