发明授权
- 专利标题: 阻挡隔膜、其制备方法及包括其的二次电池
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申请号: CN201410826172.4申请日: 2014-12-25
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公开(公告)号: CN105789531B公开(公告)日: 2019-03-15
- 发明人: 程寒松 , 孙玉宝 , 曾丹黎 , 李改 , 赖远初 , 李万清
- 申请人: 杭州聚力氢能科技有限公司 , 中国地质大学(武汉)
- 申请人地址: 浙江省杭州市临安市青山湖街道鹤亭街6号
- 专利权人: 杭州聚力氢能科技有限公司,中国地质大学(武汉)
- 当前专利权人: 杭州聚力氢能科技有限公司,中国地质大学(武汉)
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市临安市青山湖街道鹤亭街6号
- 代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 吴贵明; 张永明
- 主分类号: H01M2/16
- IPC分类号: H01M2/16 ; H01M2/14 ; H01M10/05
摘要:
本发明公开了一种阻挡隔膜、其制备方法及包括其的二次电池。该阻挡隔膜包括一层或G层单离子聚合物电解质膜,其中G≥2。该阻挡隔膜中,单离子聚合物电解质膜因其对于阳离子的选择性通过特性,能够阻碍二次电池中因放电过程产生的可溶性多硫阴离子的电迁移,将其阻挡在靠近硫正极的一侧。从而有利于防止这些多硫阴离子扩散至负极(如锂或钠负极)表面发生反应,进而能够解决二次电池的电池容量和电流效率降低的问题。总之,在二次电池的硫正极和多孔隔膜之间增设上述阻挡隔膜后,在该阻挡隔膜阻挡多硫阴离子的作用下,能够有效抑制多硫化物的“穿梭”效应,进而能够提高具有硫正极的二次电池的电池性能。
公开/授权文献
- CN105789531A 阻挡隔膜、其制备方法及包括其的二次电池 公开/授权日:2016-07-20