发明授权
- 专利标题: 一种闪烁晶体探测单元制备方法
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申请号: CN201610137508.5申请日: 2016-03-11
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公开(公告)号: CN105807309B公开(公告)日: 2019-04-12
- 发明人: 许剑锋 , 郭凌曦 , 孙权权 , 唐宏亮 , 吴忠鼎 , 兰洁 , 陈肖
- 申请人: 华中科技大学 , 上海新跃仪表厂
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学,上海新跃仪表厂
- 当前专利权人: 华中科技大学,上海新跃仪表厂
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 曹葆青
- 主分类号: G01T1/202
- IPC分类号: G01T1/202 ; B28D5/00 ; B24B1/00
摘要:
一种闪烁晶体探测单元的制备方法,属于辐射探测技术领域,解决现有晶体的批量加工与高表面质量的矛盾。本发明包括包括晶体切割成型步骤、晶体单元表面加工步骤、晶体单元表面薄膜镀制步骤和包覆反射材料步骤。本发明提供的闪烁晶体探测单元表面高反射膜设计和镀制能够完全覆盖闪烁晶体的发射光谱,针对性的提高闪烁晶体特定波段的反射率,避免了采用在晶体表面贴反射膜可能导致的光子在晶体‑反射膜间隙的吸收和反射率降低的问题,提高光子的传递效率,减少光子传递过程的损失。同时,本发明不要求高端精密的加工装备,有利于工业化批量生产,降低生产成本。
公开/授权文献
- CN105807309A 一种闪烁晶体探测单元制备方法 公开/授权日:2016-07-27