- 专利标题: 制造Si和SiGe鳍片、制造CMOS器件的方法以及CMOS器件
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申请号: CN201610006801.8申请日: 2016-01-05
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公开(公告)号: CN105810643B公开(公告)日: 2018-09-21
- 发明人: B·B·多里斯 , 何虹 , 李俊涛 , 王俊利 , 杨智超
- 申请人: 国际商业机器公司
- 申请人地址: 美国纽约
- 专利权人: 国际商业机器公司
- 当前专利权人: 国际商业机器公司
- 当前专利权人地址: 美国纽约
- 代理机构: 北京市中咨律师事务所
- 代理商 牛南辉; 于静
- 优先权: 14/601338 2015.01.21 US
- 主分类号: H01L21/84
- IPC分类号: H01L21/84 ; H01L27/12
摘要:
本发明涉及制造Si和SiGe鳍片、制造CMOS器件的方法以及CMOS器件。描述了一种制造硅(Si)和硅锗(SiGe)鳍片的方法。该方法包括:在布置在衬底上的掩埋氧化物(BOX)层上形成至少两个Si鳍片,至少一个Si鳍片形成在第一区域中,并且至少一个Si鳍片形成在第二区域中,在第二区域中的至少一个Si鳍片比在第一区域中的至少一个Si鳍片更薄。该方法同样包括在第一区域之上沉积氧化物掩模;在第二区域中的至少一个Si鳍片上外延生长SiGe层;以及执行热退火工艺以将Ge从SiGe层驱动到在第二区域中的至少一个Si鳍片中,以在第二区域中形成至少一个SiGe鳍片。
公开/授权文献
- CN105810643A 制造Si和SiGe鳍片、制造CMOS器件的方法以及CMOS器件 公开/授权日:2016-07-27