发明授权
- 专利标题: 一种用于化学气相沉积的清洗工艺
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申请号: CN201510019284.3申请日: 2015-01-14
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公开(公告)号: CN105839069B公开(公告)日: 2019-03-01
- 发明人: 李夏 , 张冠群 , 杨益 , 何朋
- 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构: 上海光华专利事务所
- 代理商 余明伟
- 主分类号: C23C16/14
- IPC分类号: C23C16/14 ; C23C16/455
摘要:
本发明提供一种用于化学气相沉积的清洗工艺,该清洗工艺至少包括:提供内部带有钨的反应腔;将反应腔中通入氟化气体并电离形成氟离子,用氟离子清洗反应腔内的钨;抽走反应腔中的副产物;在反应腔中通入硅烷和六氟化钨,使二者反应并在反应腔内形成第一钨薄膜;抽走反应腔中的副产物;在反应腔中通入氢气和六氟化钨,使二者反应并在反应腔内的所述第一钨薄膜上继续生长第二钨薄膜;抽走反应腔中的副产物;重复形成第一、第二钨薄膜若干次。本发明通过氟离子清洗反应腔内的钨。取消了氢气的钝化,防止反应腔的颗粒物残留异常升高。在反应腔内形成致密的钨薄膜,以改善清洗之后氟离子给加热盘带来的损坏,并稳定清洗之后腔体的温度。
公开/授权文献
- CN105839069A 一种用于化学气相沉积的清洗工艺 公开/授权日:2016-08-10
IPC分类: