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公开(公告)号：CN105839069A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201510019284.3
申请日：2015-01-14
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： C23C16/14 , C23C16/455
摘要： 本发明提供一种用于化学气相沉积的清洗工艺，该清洗工艺至少包括：提供内部带有钨的反应腔；将反应腔中通入氟化气体并电离形成氟离子，用氟离子清洗反应腔内的钨；抽走反应腔中的副产物；在反应腔中通入硅烷和六氟化钨，使二者反应并在反应腔内形成第一钨薄膜；抽走反应腔中的副产物；在反应腔中通入氢气和六氟化钨，使二者反应并在反应腔内的所述第一钨薄膜上继续生长第二钨薄膜；抽走反应腔中的副产物；重复形成第一、第二钨薄膜若干次。本发明通过氟离子清洗反应腔内的钨。取消了氢气的钝化，防止反应腔的颗粒物残留异常升高。在反应腔内形成致密的钨薄膜，以改善清洗之后氟离子给加热盘带来的损坏，并稳定清洗之后腔体的温度。
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公开(公告)号：CN103183308A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110455266.1
申请日：2011-12-30
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明涉及一种改进的Al-Ge键合方法，包括提供具有图案化的Ge顶层的第一晶片；提供具有图案化的Al的第二晶片；对准步骤，将第一晶片与第二晶片对准；吹扫步骤，通入合成气吹扫晶面，所述合成气包括还原性气体和惰性的气体；抽真空步骤，将键合腔的压力降至0.1mBar以下的真空，键合腔温度420～450℃；和键合步骤，对第一晶片和第二晶片施加力，温度升至高于Al-Ge共晶点5～30℃。
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公开(公告)号：CN101736310B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200810202700.3
申请日：2008-11-13
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： C23C16/06 , C23C16/455
摘要： 本发明提出一种应用于钨化学气相沉积工艺的气体传输系统，包括反应室，第一抽气泵和第二抽气泵，以及尾气处理装置，所述反应室通过多个反应气体管道供气，所述第一抽气泵通过反应生成气体管道与所述反应室相连，所述第二抽气泵通过背面气体抽气管道与所述反应室相连，所述第一抽气泵和其中之一所述多个反应气体管道之间连接有第一回转气体管道，所述第一抽气泵和第二抽气泵连接于所述尾气处理装置，其中所述其中另一所述多个反应气体管道和所述第二抽气泵之间连接有第二回转气体管道。本发明能够有效解决PNL钨生长设备的低有效利用率的问题，降低工艺过程抽气泵出现错误警报的频率。
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公开(公告)号：CN101195908A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200610119063.4
申请日：2006-12-04
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： C23C16/4404 , C23C16/4405
摘要： 一种化学气相沉积设备反应室的清洗工艺，去除晶圆化学气相沉积掺杂多晶硅层之后反应室内部的多晶硅层，然后在反应室内部沉积一层掺杂多晶硅层。使得反应室内部吸收足量的掺杂离子，可以避免在晶圆表面沉积掺杂多晶硅层的工艺过程中反应室内部以及其它部件再次吸收掺杂离子，保持晶圆表面沉积的掺杂多晶硅层掺杂成分以及电阻值的稳定性。
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公开(公告)号：CN103727884B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201210393136.4
申请日：2012-10-16
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 一种键合工具检测方法，包括提供具有第一对齐图形的第一晶圆、具有第二对齐图形的第二晶圆，将第一晶圆的正面和第二晶圆的背面贴合时，第一对齐图形嵌入第二对齐图形围成的区域；提供键合工具，将第一晶圆的正面和所述第二晶圆的正面进行键合；使用光线照射，在屏幕上得到第一图像和第二图像；获取第一图像和第二图像之间的偏移距离；重复提供第一晶圆和第二晶圆、键合第一晶圆和第二晶圆、获取第一图像和第二图像之间偏移距离的步骤多次，获得多个偏移距离；根据所有获得的偏移距离判定所述键合工具是否合格。使用本发明的检测方法，可以在将键合工具应用到现实键合技术之前，就相对准确地确定该键合工具是否合格，避免不必要的产品浪费。
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公开(公告)号：CN103183308B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110455266.1
申请日：2011-12-30
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明涉及一种改进的Al?Ge键合方法，包括提供具有图案化的Ge顶层的第一晶片；提供具有图案化的Al的第二晶片；对准步骤，将第一晶片与第二晶片对准；吹扫步骤，通入合成气吹扫晶面，所述合成气包括还原性气体和惰性的气体；抽真空步骤，将键合腔的压力降至0.1mBar以下的真空，键合腔温度420～450℃；和键合步骤，对第一晶片和第二晶片施加力，温度升至高于Al?Ge共晶点5～30℃。
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公开(公告)号：CN105839069B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201510019284.3
申请日：2015-01-14
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： C23C16/14 , C23C16/455
摘要： 本发明提供一种用于化学气相沉积的清洗工艺，该清洗工艺至少包括：提供内部带有钨的反应腔；将反应腔中通入氟化气体并电离形成氟离子，用氟离子清洗反应腔内的钨；抽走反应腔中的副产物；在反应腔中通入硅烷和六氟化钨，使二者反应并在反应腔内形成第一钨薄膜；抽走反应腔中的副产物；在反应腔中通入氢气和六氟化钨，使二者反应并在反应腔内的所述第一钨薄膜上继续生长第二钨薄膜；抽走反应腔中的副产物；重复形成第一、第二钨薄膜若干次。本发明通过氟离子清洗反应腔内的钨。取消了氢气的钝化，防止反应腔的颗粒物残留异常升高。在反应腔内形成致密的钨薄膜，以改善清洗之后氟离子给加热盘带来的损坏，并稳定清洗之后腔体的温度。
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公开(公告)号：CN103727884A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210393136.4
申请日：2012-10-16
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 一种键合工具检测方法，包括提供具有第一对齐图形的第一晶圆、具有第二对齐图形的第二晶圆，将第一晶圆的正面和第二晶圆的背面贴合时，第一对齐图形嵌入第二对齐图形围成的区域；提供键合工具，将第一晶圆的正面和所述第二晶圆的正面进行键合；使用光线照射，在屏幕上得到第一图像和第二图像；获取第一图像和第二图像之间的偏移距离；重复提供第一晶圆和第二晶圆、键合第一晶圆和第二晶圆、获取第一图像和第二图像之间偏移距离的步骤多次，获得多个偏移距离；根据所有获得的偏移距离判定所述键合工具是否合格。使用本发明的检测方法，可以在将键合工具应用到现实键合技术之前，就相对准确地确定该键合工具是否合格，避免不必要的产品浪费。
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公开(公告)号：CN101195908B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200610119063.4
申请日：2006-12-04
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/4763
CPC分类号： C23C16/4404 , C23C16/4405
摘要： 一种化学气相沉积设备反应室的清洗工艺，去除晶圆化学气相沉积掺杂多晶硅层之后反应室内部的多晶硅层，然后在反应室内部沉积一层掺杂多晶硅层。使得反应室内部吸收足量的掺杂离子，可以避免在晶圆表面沉积掺杂多晶硅层的工艺过程中反应室内部以及其它部件再次吸收掺杂离子，保持晶圆表面沉积的掺杂多晶硅层掺杂成分以及电阻值的稳定性。
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公开(公告)号：CN101736310A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810202700.3
申请日：2008-11-13
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： C23C16/06 , C23C16/455
摘要： 本发明提出一种应用于钨化学气相沉积工艺的气体传输系统，包括反应室，第一抽气泵和第二抽气泵，以及尾气处理装置，所述反应室通过多个反应气体管道供气，所述第一抽气泵通过反应生成气体管道与所述反应室相连，所述第二抽气泵通过背面气体抽气管道与所述反应室相连，所述第一抽气泵和其中之一所述多个反应气体管道之间连接有第一回转气体管道，所述第一抽气泵和第二抽气泵连接于所述尾气处理装置，其中所述其中另一所述多个反应气体管道和所述第二抽气泵之间连接有第二回转气体管道。本发明能够有效解决PNL钨生长设备的低有效利用率的问题，降低工艺过程抽气泵出现错误警报的频率。
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