发明授权
- 专利标题: 积体超导体装置及其制造方法
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申请号: CN201480071549.8申请日: 2014-11-10
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公开(公告)号: CN105849888B公开(公告)日: 2018-12-04
- 发明人: 康妮·P·王 , 保罗·墨菲 , 保罗·沙利文
- 申请人: 瓦里安半导体设备公司
- 申请人地址: 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
- 专利权人: 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人: 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人地址: 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
- 代理机构: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理商 杨贝贝; 臧建明
- 优先权: 14/077,901 2013.11.12 US
- 国际申请: PCT/US2014/064739 2014.11.10
- 国际公布: WO2015/116289 EN 2015.08.06
- 进入国家日期: 2016-06-29
- 主分类号: H01L21/768
- IPC分类号: H01L21/768 ; H01L21/28
摘要:
本发明提供一种积体超导体装置及其制造方法。所述积体超导体装置可包含衬底基底,和安置于所述衬底基底上且包括较佳结晶定向的第一中间层。所述积体超导体装置可进一步包含安置于所述第一中间层上的第一定向超导体层,和安置于所述第一定向超导体层的一部分上的第一导电带。所述第一导电带可在其下方界定所述第一定向超导体层的第一超导体区,和邻近于所述第一超导体区的所述第一定向超导体层的第一暴露区。本申请的积体超导体装置制造的超导体结构类似于带材但直接形成于大面积衬底上,克服与独立式超导体带材的制造相关联的复杂性。
公开/授权文献
- CN105849888A 积体超导体装置及其制造方法 公开/授权日:2016-08-10
IPC分类: