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发明公开
CN105870197A 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示装置 无效 - 驳回

薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示装置
摘要：
本发明提供一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的薄膜晶体管中的板状结构是金属遮光层，对像素区域的开口率有很大的影响，使像素区域的开口率明显降低的问题。本发明的薄膜晶体管，包括栅极、半导体层以及与所述半导体层连接的漏极和源极，至少部分所述漏极与所述半导体层重叠设置。
摘要（英）：

The invention provides a thin film transistor, a fabrication method thereof, an array substrate and a display device, which belong to the technical field of display and can be used for solving the problem that a plate-shaped structure in the existing thin film transistor is a metal shading layer and has great influence on the aperture ratio of a pixel region to cause the aperture ratio of the pixel region to be obviously reduced. The thin film transistor provided by the invention comprises a grid, a semiconductor layer, a drain and a source, wherein the drain and the source are connected with the semiconductor layer, and at least one part of the drain and the semiconductor layer are overlapped.

IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786 ......薄膜晶体管
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