发明授权
CN105891746B 一种基于趋肤效应的铁磁导体相对磁导率检测方法及系统
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种基于趋肤效应的铁磁导体相对磁导率检测方法及系统
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申请号: CN201610227687.1申请日: 2016-04-13
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公开(公告)号: CN105891746B公开(公告)日: 2018-01-30
- 发明人: 杨勇 , 安虹宇 , 杨文璐 , 汤型正 , 王华俊
- 申请人: 中国地质大学(武汉)
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号中国地质大学(武汉)地质资源环境工业技术研究院
- 专利权人: 中国地质大学(武汉)
- 当前专利权人: 中国地质大学(武汉)
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号中国地质大学(武汉)地质资源环境工业技术研究院
- 代理机构: 北京轻创知识产权代理有限公司
- 代理商 陈卫
- 主分类号: G01R33/12
- IPC分类号: G01R33/12
摘要:
本发明涉及一种基于趋肤效应的铁磁导体相对磁导率检测方法及系统,所述方法包括检测半径为r的圆柱形待测样品上任意相距L的两个检测点之间的低频电阻值R0;根据待测样品上任意两个检测点之间的低频电阻值R0、两个检测点间距L和待测样品半径r计算待测样品的电阻率ρ,检测待测样品上所述两个检测点之间的高频电阻值R;根据待测样品上所述两个检测点之间的低频电阻值R0、高频电阻值R、半径r和电阻率ρ计算待测样品的相对磁导率μr。本发明有效避免了常规方法需要将样品加工成环状、并需要绕制线圈的麻烦,也避免了磁路漏磁等缺陷,简单巧妙,检测结果准确,实现了快捷无损精确测量,具有较好的应用前景。
公开/授权文献
- CN105891746A 一种基于趋肤效应的铁磁导体相对磁导率检测方法及系统 公开/授权日:2016-08-24