利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明公开
CN105895674A 用于减少结泄漏的掺杂的氧化锌和n-掺杂 有权

用于减少结泄漏的掺杂的氧化锌和n-掺杂
摘要：
本发明涉及用于减少结泄漏的掺杂的氧化锌和n-掺杂。一种半导体装置，包括衬底和在衬底上的包括掺杂的III-V材料的p掺杂层。n掺杂层形成于p掺杂层上，n掺杂层包括掺杂的III-V材料。接触界面层形成于n掺杂层上。接触界面层包括II-VI材料。接触金属形成于接触界面层上，以形成电子装置。
摘要（英）：

A semiconductor device includes a substrate and a p-doped layer including a doped III-V material on the substrate. An n-doped layer is formed on the p-doped layer, the n-doped layer including a doped III-V material. A contact interface layer is formed on the n-doped layer. The contact interface layer includes a II-VI material. A contact metal is formed on the contact interface layer to form an electronic device.

公开/授权文献
0/0