本发明涉及一种基于栅扫描法的双极器件总剂量辐射感生产物平均浓度提取方法，针对栅扫描法所测IB‑VG曲线由于界面态陷阱浓度小或多能级界面陷阱共同存在时，曲线峰值位置不明显，难以确定的问题，对栅扫描法进行了改进，提出在测量IB‑VG曲线的同时，测量IC‑VG曲线，并求取log(IC)‑VG曲线的拐点Vmg,C作为基区表面的耗尽电压，从而获取辐射感生产物的平均浓度方法。与文献所报导的栅扫描法和亚阈分离相结合的方法相比，该方法不需要额外使用亚阀分离方法来获取半带电压，且对不同的基区掺杂浓度的器件均具有很好的适用性，既简化了辐射感生产物的平均浓度分离的复杂度，又增加了准确性和适用性。