一种半导体设备及其制作方法

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摘要：

一种半导体器件，尤其是采用以铝硅酸盐为基本成分的钝化半导体器件，如氧化铅铝硅酸盐玻璃，金属氧化物玻璃保护层，适用于高压应用。为了增加该半导体器件在反向偏压和高温热应力下的可靠性，该铝硅酸盐玻璃钝化层常常含有浓度在100ppm（mol，摩尔百分数）到1000ppm（mol，摩尔百分数）的氟。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L23/00	半导体或其他固态器件的零部件（H01L25/00优先）
H01L23/28	.封装，例如密封层、涂覆物（H01L23/552优先）
H01L23/29	..按材料特点进行区分的