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公开(公告)号：CN114496858A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210120586.X
申请日：2022-02-09
申请人： 四川洪芯微科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/228
摘要： 一种晶圆正面涂源装置，包括支撑架、转动机构、顶升机构、防护罩，矫正机构及刮涂机构；转动机构，其设于支撑架上，包括转动构件和固定构件，转动构件用于驱动固定构件进行转动，固定构件用于晶圆的放置固定；顶升机构设于转动机构上；防护罩设于支撑架上；矫正机构其设于防护罩上，当晶圆转动时，以使晶圆绕其几何中心进行转动；刮涂机构，其设于防护罩上，用于扩散源的涂盖操作。方便进行晶圆的涂源操作，在涂源时通过缓速涂布的方式进行涂布，从而当源液的粘稠度较低时，也方便进行源液的涂布操作，同时在涂布时能降低源液的浪费量，而在涂源时采用由内而外的刮涂方式，能将源液均匀地涂布在晶圆上，从而确保形成的扩散膜的平整性。
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公开(公告)号：CN113659014A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202111220706.5
申请日：2021-10-20
申请人： 四川洪芯微科技有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06
摘要： 一种含有阴极短接槽栅结构的功率二极管，其元胞结构包括：n型掺杂的漂移区，n型掺杂的漂移区的底部设有阴极结构，以及n型掺杂的漂移区顶部设有阳极结构，阳极结构包括至少一个p型掺杂的第一阳极区和至少一个p型掺杂的第二阳极区，p型掺杂的第一阳极区与p型掺杂的第二阳极区在水平方向上交替排列，阴极结构包括至少一个n型掺杂的阴极区，至少一个p型掺杂的阴极区以及至少一个n型掺杂的缓冲区。本发明提供的功率二极管能够提高反向恢复软度从而消除反向恢复过程中的电流和电压的震荡，并且能降低反向恢复电荷，具有较强的实用性。
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公开(公告)号：CN110571174A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910859534.2
申请日：2019-09-11
申请人： 四川洪芯微科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种芯片晶粒挑选装置，包括机架、用于传输晶圆用的传送带以及用于挑选带有磁粉墨点的晶粒的筛选机构，所述筛选机构包括设置于传送带一侧的转轴，所述转轴上连接有驱动装置，所述转轴上端设置有多个支撑板，每个所述支撑板上均设置有电磁板以及控制电磁板开关的控制系统，所述机架上设置有与转轴同侧的用于接收从电磁板上掉落的晶粒的收集盘。本发明通过传送带不停的传送晶圆并且转轴不停的转动使得转轴上的支撑板依次扫过晶圆不需要传送带停止等待晶圆筛选完毕后继续运动，提高了筛选效率，不需要另外的机构将晶粒刮下，提高了瑕疵晶粒的完整度，有利于后期回收利用。
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公开(公告)号：CN106298791B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610828469.3
申请日：2016-09-19
申请人： 四川洪芯微科技有限公司
发明人： 李学良 , 西里奥·艾·珀里亚科夫
IPC分类号： H01L27/11521 , H01L27/11568
摘要： 一种可重复编程非易失性存储器，为了提高数据写寿命和保持寿命，采用离子导体作为离子记忆存储。该离子导体掺杂碱性离子并且具有与其相邻的电阻加热器。可应用于可重复编程非易失性半导体器件。当其应用于半导体存储器时，至少所述半导体存储器的PN结终止表面的P型导电侧的部分，覆盖掺杂有碱性离子的离子导体薄膜作为离子存储器，并且具有与其相邻的电阻加热层。
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公开(公告)号：CN106129019B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201610461816.3
申请日：2016-06-23
申请人： 四川洪芯微科技有限公司
发明人： 李学良 , 西里奥·艾·珀里亚科夫
摘要： 一种半导体器件，尤其涉及一种铝硅酸盐玻璃钝化半导体器件，如铅或氧化锌，氧化铝铝硅酸盐玻璃玻璃层，适用于高压应用。为了增加该半导体器件在反向偏压和高应力下的可靠性，该铝硅酸盐玻璃钝化层常常含有浓度在20ppm（mol，摩尔百分数）到200ppm（mol，摩尔百分数）的铯。
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公开(公告)号：CN104797061B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510241586.5
申请日：2015-05-13
申请人： 电子科技大学 , 四川洪芯微科技有限公司 , 四川上特科技有限公司 , 四川绿然电子科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司
IPC分类号： H05B37/02
摘要： 本发明公开了一种带有双电源驱动的LED照明电路，包括两个电源模块、两个电源监控模块、两组LED灯组、两个恒流控制模块、一个双向控制开关，每个电源模块的正极输出端分别连接对应的电源监控模块的输入端、LED灯组的正极，负极输出端分别连接对应的电源监控模块的输出端，再通过相应二极管分别连接双向控制开关的信号输入端，两个LED灯组的负极分别通过对应的恒流控制模块后连接双向控制开关的信号输入端，两个电源监控模块的监控信号输出端分别对应连接双向控制开关的两个监控信号输入端。本发明采用两组电源双驱动电路，通过控制双向控制开关大大延长了LED照明装置的使用寿命。本发明适用于现有技术中依靠LED灯珠进行照明的领域。
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公开(公告)号：CN115295476A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211219346.1
申请日：2022-10-08
申请人： 四川洪芯微科技有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 一种芯片脱膜装置，属于芯片制备领域，包括放置单元及筛分机构。放置单元包括转动机构，转动机构上连接有固定机构，固定机构上设有顶撑机构。筛分机构包括底板，底板上开设有让位槽，底板上安装有箱体，箱体上端安装有脱膜构件，箱体内设有筛分构件，筛分构件连接有往复机构，往复机构上连接有驱动机构。方便进行芯片即晶粒的脱膜操作，并在脱膜时，能够进行晶圆盘和粘贴膜的稳定固定，以避免影响脱膜效果。
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公开(公告)号：CN113262956B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110823496.2
申请日：2021-07-21
申请人： 四川洪芯微科技有限公司
摘要： 一种半导体晶圆表面处理装置，包括：主框架、输送机构以及表面处理机构。输送机构用于输送晶圆，包括一对输送轨道和调节机构，调节机构用于调节输送轨道的间距。表面处理机构包括承载部件和执行部件。承载部件设于输送机构下方，承载部件包括容纳桶和承载板，承载板垂直于输送轨道移动设置，还可绕轴线旋转。执行部件设于输送机构上方，执行部件包括密封盖用于密封容纳桶的顶部，密封盖顶面设有直线移动机构，直线移动机构的活动块设有喷嘴用于喷涂胶液，密封盖开设有条形孔用于穿过喷嘴，喷嘴的出液口位于密封盖的下方，密封盖沿垂直于承载板的方向移动设置。具有较高的表变处理效率，可避免损坏晶圆表面，可避免胶液溅出，便于设备清洁。
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公开(公告)号：CN110587893A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910859523.4
申请日：2019-09-11
申请人： 四川洪芯微科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体塑封料上料装置，包括分料装置，所述分料装置包括上料斗、设置在上料斗内的振动筛、设置在振动筛下方的漏斗形的上料孔以及与上料孔连通的上料管，还包括精确导料装置，所述精确导料装置包括水平放置的上导料板、与位于上导料板下方的下导料板，所述上导料板上开设有正对上料管的接料孔，所述下导料板上设置有与接料孔对应的高度与塑封料厚度相同的落料孔，所述落料孔的下端设置有可滑动的挡板，所述挡板一端连接有驱动挡板滑动的动力机构，所述上导料板固定，所述下导料板一侧连接有驱动机构，所述动力机构连接有控制系统，所述下导料板与上料模具相接触，所述上料模具上设置有接料凹槽。
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公开(公告)号：CN109786295A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910025495.6
申请日：2019-01-11
申请人： 电子科技大学 , 四川洪芯微科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种采用3D涂布法的沟槽玻璃钝化系统，包括加压釜、至少一个控制阀、涂布器、显微摄像头、计算机控制装置、光电检测模块和真空硅片台。本发明还公开了一种采用3D涂布法的沟槽玻璃钝化工艺。本发明能够实现将玻璃粉按沟槽位置精确覆盖，并能够大量减少玻璃粉用量，且无丙酮使用成本。本发明适用于所有采用沟槽工艺生产的GPP二极管以及其他GPP工艺产品的钝化技术领域。
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