- 专利标题: 具有有源泄漏电流补偿的过压开关的装置和方法
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申请号: CN201610121115.5申请日: 2016-03-03
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公开(公告)号: CN105938831B公开(公告)日: 2019-01-29
- 发明人: E·伊瓦诺夫 , J·A·塞尔瑟多
- 申请人: 美国亚德诺半导体公司
- 申请人地址: 美国马萨诸塞州
- 专利权人: 美国亚德诺半导体公司
- 当前专利权人: 美国亚德诺半导体公司
- 当前专利权人地址: 美国马萨诸塞州
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 申发振
- 优先权: 14/638,880 2015.03.04 US
- 主分类号: H01L27/04
- IPC分类号: H01L27/04
摘要:
本发明涉及具有有源泄漏电流补偿的过压开关的装置和方法。提供具有有源泄漏电流补偿的过压开关的装置和方法。在某些配置中,集成电路包括:输入节点和电连接到输入节点的保护设备或过压开关。该保护设备包括:第一阱和第二阱。第二阱被定位成邻近所述第一阱和具有相反于第一阱的导电类型。此外,该保护设备的第一端子电连接到第一阱和到IC的输入节点。该保护设备还包括漏电流补偿电路,用于基于所述第一端子的电压电平控制第二阱的电压电平,以抑制所述保护设备的第一端子的漏电流。
公开/授权文献
- CN105938831A 具有有源泄漏电流补偿的过压开关的装置和方法 公开/授权日:2016-09-14
IPC分类: