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公开(公告)号：CN108346656B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201810065938.X
申请日：2018-01-24
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 提供用于电气过载保护的高电压漏极扩展金属氧化物半导体(DEMOS)双极开关。在本文的某些构造中，电气过载开关的实施方案提供电气过载保护，例如静电放电/电气过载(ESD/EOS)保护，包括DEMOS装置和嵌入的双极装置。开关的实施是为了达到DEMOS与双极装置组合导通的优点。例如，DEMOS装置在栅极区域提供表面导电，用于相对较快的开关器件导通和低电压过冲，而双极性装置在应力条件下提供高电流传导，并具有高保持电压特性，以防止在关键任务集成电路中的闩锁。
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公开(公告)号：CN105281307B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201510407886.6
申请日：2015-07-13
申请人： 美国亚德诺半导体公司
摘要： 本公开涉及用于具有正反馈的瞬态过载保护的装置和方法。用于提供瞬态过载保护，具有正反馈的装置和方法被公开。在某些配置中，保护电路包括瞬态检测电路、偏置电路、钳位电路和当钳位电路钳位时，生成正反馈电流的感测反馈电路。瞬态检测电路能够检测瞬态过载事件的存在，并且能够生成响应于瞬态过载事件检测的检测电流。检测电流和正反馈电流可以被组合以生成组合电流。并且偏置电路可以接通钳位电路以响应于组合电流。当瞬态过载事件出现并且钳位电路正钳位时，感测反馈电流能够生成正反馈电流以在事件的持续时间内保持钳位电路接通。
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公开(公告)号：CN108346656A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810065938.X
申请日：2018-01-24
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L27/0266 , H01L27/0623 , H01L29/1095 , H01L29/7835
摘要： 提供用于电气过载保护的高电压漏极扩展金属氧化物半导体(DEMOS)双极开关。在本文的某些构造中，电气过载开关的实施方案提供电气过载保护，例如静电放电/电气过载(ESD/EOS)保护，包括DEMOS装置和嵌入的双极装置。开关的实施是为了达到DEMOS与双极装置组合导通的优点。例如，DEMOS装置在栅极区域提供表面导电，用于相对较快的开关器件导通和低电压过冲，而双极性装置在应力条件下提供高电流传导，并具有高保持电压特性，以防止在关键任务集成电路中的闩锁。
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公开(公告)号：CN106298902A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610827351.9
申请日：2013-11-19
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H01L29/747 , H01L29/06 , H01L27/06 , H01L27/02
摘要： 本公开涉及具有集成保护结构的结隔离阻断电压装置及其形成方法。提供了结隔离阻断电压装置及其形成方法。在具体实施方式中，阻断电压装置包括电连接至第一p阱的阳极终端、电连接至第一n阱的阴极终端、电连接至第二p阱的接地终端、以及用于隔离第一p阱和p型衬底的n型隔离层。第一p阱和第一n阱操作作为阻塞二极管。阻断电压装置还包括与第一n阱中形成的P+区域、第一n阱、第一p阱和第一p阱中形成的N+区域相关的PNPN硅控整流器(SCR)。此外，阻断电压装置还包括与第一p阱中形成的N+区域、第一p阱、n型隔离层、第二p阱以及第二p阱中形成的N+区域相关的NPNPN双向SCR。
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公开(公告)号：CN105609541A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510786965.2
申请日：2015-11-17
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H01L29/06
摘要： 提供了用于收发器接口过压钳位的装置和方法。在某些配置中，接口器件包括第一p型阱区和n型隔离结构中的第二p型阱区。另外，钳位器件包括第一p型有源区和第一p型阱区中且电连接到钳位器件的第一端子的第一n型有源区。此外，钳位器件包括第二p型有源区和第二p型阱区中且电连接到钳位器件的第二端子的第二n型有源区。n型隔离结构处于半导体基底的p型区中，并且使第一和第二p型阱区与p型基底区电隔离。钳位器件还包括位于第一和第二n型有源区之间的阻塞电压调谐结构。
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公开(公告)号：CN103839941A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310581244.9
申请日：2013-11-19
申请人： 美国亚德诺半导体公司
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L27/0635 , H01L27/0647 , H01L29/0692 , H01L29/66386 , H01L29/7412 , H01L29/747
摘要： 提供了结隔离阻断电压装置及其形成方法。在具体实施方式中，阻断电压装置包括电连接至第一p阱的阳极终端、电连接至第一n阱的阴极终端、电连接至第二p阱的接地终端、以及用于隔离第一p阱和p型衬底的n型隔离层。第一p阱和第一n阱操作作为阻塞二极管。阻断电压装置还包括与第一n阱中形成的P+区域、第一n阱、第一p阱和第一p阱中形成的N+区域相关的PNPN硅控整流器(SCR)。此外，阻断电压装置还包括与第一p阱中形成的N+区域、第一p阱、n型隔离层、第二p阱以及第二p阱中形成的N+区域相关的NPNPN双向SCR。
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公开(公告)号：CN110890359B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201910839609.0
申请日：2019-09-06
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本公开涉及用于机动车和通信系统收发器接口的设备。通信接口保护装置包括：电连接到第一端子的第一电气过应力(EOS)保护开关和电连接到第二端子的第二EOS保护开关。第一和第二EOS保护开关中的每一个包括第一半导体控制的整流器(SCR)和第二SCR以及阴极电连接到所述第一SCR的阳极的第一二极管和阴极电连接到所述第二SCR的阳极的第二二极管，所述第一EOS保护装置被配置为响应于在所述第一和第二端子之间引起第一偏置的EOS条件而激活，并且其中所述第二EOS保护装置被配置为响应于在所述第一和第二端子之间引起第二偏置的EOS条件而激活。
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公开(公告)号：CN107527879B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201710472186.4
申请日：2017-06-21
申请人： 美国亚德诺半导体公司
摘要： 提供用于有源控制的触发和锁存释放晶闸管的设备和方法。在某些构造中，有源控制的保护电路包括：过电压传感电路、在信号节点和放电节点之间电连接的晶闸管或硅控整流器(SCR)、以及有源触发和锁存释放电路。过电压传感电路基于信号节点的电压控制虚拟供电节点的电压，并且有源触发和锁存释放电路基于虚拟供电节点的电压检测信号节点处瞬态过应力事件的存在。有源触发和锁存释放电路提供一个或多个触发信号至SCR以控制SCR的激活电压，并且有源触发和锁存释放电路基于是否检测到瞬态过应力事件来激活或失活一个或多个触发信号。
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公开(公告)号：CN108155636B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201711271836.5
申请日：2017-12-06
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H02H9/04
摘要： 本公开涉及有源接口电阻调制开关。在某些构造中，半导体芯片的输入/输出(IO)接口包括：引脚；连接引脚的接口开关；和使用有源反馈控制接口开关的电阻的过应力检测和有源控制电路。过应力检测和有源控制电路响应于检测第一节点和第二节点之间的瞬时过应力事件而增加接口开关的电阻。因此，过应力检测和有源控制电路提供单独的检测和逻辑控制以选择性地修改接口开关的电阻，使得接口开关在正常操作条件下以低电阻操作，并且在过应力条件下以高电阻操作。
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公开(公告)号：CN104578027B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201410458831.3
申请日：2014-09-10
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H02H9/04
摘要： 本发明涉及高压可承受电源钳位。与瞬态电事件相关的，用于主动检测、定时与保护的装置与方法被公开。检测电路生成响应瞬态电应力的检测信号。集成电路的第一与第二驱动器电路，每个驱动器具有一个或多个双极结型晶体管，基于检测信号激活并且生成激活信号。第一与第二驱动器电路的一个或多个双极结型晶体管被配置基本上横向地穿过各自基极区传导电流。具有上部放电元件与下部放电元件的放电电路接收激活信号并且激活以减弱瞬态电事件。
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