发明授权
- 专利标题: 半导体封装的电镀方法
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申请号: CN201610362748.5申请日: 2016-05-26
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公开(公告)号: CN105951135B公开(公告)日: 2019-03-19
- 发明人: 袁凤江 , 张国光 , 陈逸晞 , 姚剑锋 , 马小祥 , 邱焕枢 , 杨秋成 , 陈耀锋
- 申请人: 佛山市蓝箭电子股份有限公司
- 申请人地址: 广东省佛山市禅城区古新路45号
- 专利权人: 佛山市蓝箭电子股份有限公司
- 当前专利权人: 佛山市蓝箭电子股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省佛山市禅城区古新路45号
- 代理机构: 佛山汇能知识产权代理事务所
- 代理商 陈礼汉
- 主分类号: C25D3/32
- IPC分类号: C25D3/32 ; C25D5/34 ; C25D5/44 ; C25D5/48 ; C25D7/12 ; H01L21/48
摘要:
本发明属于电子技术领域,具体涉及一种半导体封装的电镀方法,其包括去氧化、分别用自来水和纯水清洗半导体封装引线框架、活化、电镀、分别用自来水和纯水清洗半导体封装引线框架、中和、分别用自来水和热纯水清洗半导体封装引线框架以及烘干等步骤。执行去氧化步骤时,在每100升去氧化溶液中添加45—55毫升非离子型表面活性剂(最好是添加50毫升OP‑10乳化剂),其作用是使该去氧化过程兼顾了去氧化和除油两种效果。本发明能有效解决半导体封装引线框架中的铝合金散热片在碱性电解除油溶液中的反应变色问题,提升产品的成品率,并使产品的性能更加稳定。
公开/授权文献
- CN105951135A 半导体封装的电镀方法 公开/授权日:2016-09-21