发明授权
- 专利标题: 负极片及其制备方法及电池
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申请号: CN201610578064.9申请日: 2016-07-21
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公开(公告)号: CN105977447B公开(公告)日: 2018-08-21
- 发明人: 余海君 , 郝三存 , 相江峰 , 刁增朋
- 申请人: 苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司 , 苏州协鑫集成储能科技有限公司 , 协鑫集成科技(苏州)有限公司 , 协鑫集成科技股份有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市苏州工业园区钟慧路58号2幢125室
- 专利权人: 苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司,苏州协鑫集成储能科技有限公司,协鑫集成科技(苏州)有限公司,协鑫集成科技股份有限公司
- 当前专利权人: 苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司,苏州协鑫集成储能科技有限公司,协鑫集成科技(苏州)有限公司,协鑫集成科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市苏州工业园区钟慧路58号2幢125室
- 代理机构: 广州华进联合专利商标代理有限公司
- 代理商 唐清凯
- 主分类号: H01M4/133
- IPC分类号: H01M4/133 ; H01M4/134 ; H01M4/137 ; H01M4/1393 ; H01M4/1395 ; H01M4/1399 ; H01M4/36 ; H01M4/38 ; H01M4/583 ; H01M4/60
摘要:
本发明涉及电池领域,具体公开了一种负极片,包括:集流体、硅薄膜层、位于所述集流体与所述硅薄膜层之间的缓冲层、以及第二活性材料体;在所述硅薄膜层与所述缓冲层中形成有裂缝,所述第二活性材料体覆于所述硅薄膜层上并填充所述缝隙;所述第二活性材料体中含有石墨以及聚酰亚胺。上述负极片,由于在集流体和硅薄膜层之间设置缓冲层,且第二活性材料通过裂缝渗透将集流体、缓冲层以及硅薄膜层形成一个紧密联接的整体,从而有效提高了硅薄膜层与集流体之间的附着力,避免硅薄膜层与集流体之间发生脱落的现象。另外,硅薄膜层位于缓冲层与第二活性材料体之间,有效抑制了硅的粉化问题。本发明还公开了上述负极片的制备方法及电池。
公开/授权文献
- CN105977447A 负极片及其制备方法及电池 公开/授权日:2016-09-28