发明授权
- 专利标题: 半导体器件
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申请号: CN201510053826.9申请日: 2015-02-02
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公开(公告)号: CN105989893B公开(公告)日: 2020-08-14
- 发明人: 沈荣辅
- 申请人: 爱思开海力士有限公司
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 爱思开海力士有限公司
- 当前专利权人: 觅蜜IP有限责任公司
- 当前专利权人地址: 美国德克萨斯州
- 代理机构: 北京弘权知识产权代理事务所
- 代理商 俞波; 许伟群
- 优先权: 10-2014-0145529 2014.10.24 KR
- 主分类号: G11C17/16
- IPC分类号: G11C17/16
摘要:
一种半导体器件可以包括熔丝控制器和熔丝阵列。在测试模式下,熔丝控制器可以被配置成根据修复数据的电平组合产生内部地址信号,以及可以响应于断裂控制信号来产生第一电压控制信号和第二电压控制信号,所述断裂控制信号被使能以使用于选择故障冗余字线的预定熔丝阵列断裂。熔丝阵列可以包括多个熔丝组,所述多个熔丝组包括预定熔丝组。多个熔丝组中的每个可以根据所述内部地址信号的电平组合来选择,以及熔丝阵列响应于第一电压控制信号和第二电压控制信号来使用于选择故障冗余字线的预定熔丝组断裂以便输出熔丝数据。
公开/授权文献
- CN105989893A 半导体器件 公开/授权日:2016-10-05