发明授权
- 专利标题: 半导体晶粒的拾取装置以及拾取方法
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申请号: CN201480076316.7申请日: 2014-11-17
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公开(公告)号: CN106030776B公开(公告)日: 2018-12-14
- 发明人: 长野一昭 , 片山善文 , 豊田宏树 , 石塚武 , 福本眞介
- 申请人: 株式会社新川
- 申请人地址: 日本东京武藏村山市伊奈平二丁目51番地之1
- 专利权人: 株式会社新川
- 当前专利权人: 株式会社新川
- 当前专利权人地址: 日本东京武藏村山市伊奈平二丁目51番地之1
- 代理机构: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理商 马爽; 臧建明
- 优先权: 2014-035138 2014.02.26 JP
- 国际申请: PCT/JP2014/080336 2014.11.17
- 国际公布: WO2015/129105 JA 2015.09.03
- 进入国家日期: 2016-08-24
- 主分类号: H01L21/67
- IPC分类号: H01L21/67
摘要:
本发明涉及一种半导体晶粒的拾取装置及拾取方法。拾取装置包括:平台(20),包含吸附切割片材(12)的吸附面(22);阶差面形成机构(300),包含多个移动元件(30),形成相对于吸附面(22)的阶差面,所述多个移动元件(30)配置在平台(20)的开口(23)内,且前端面在高于吸附面(22)的第1位置与低于第1位置的第2位置之间移动;以及开口压力切换机构(80),在接近真空的第1压力P1与接近大气压的第2压力P2之间切换开口(23)的开口压力,且在拾取半导体晶粒(15)时,每当将开口压力自第1压力P1切换为第2压力P2时,使至少一个移动元件(30)自第1位置移动至第2位置。由此,抑制半导体晶粒的损伤的发生而有效地拾取半导体晶粒。
公开/授权文献
- CN106030776A 半导体晶粒的拾取装置以及拾取方法 公开/授权日:2016-10-12
IPC分类: