公开(公告)号：CN101295657A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200810083278.4

申请日：2008-03-03

申请人： 株式会社新川

发明人： 藤野昇 ,  藤沢一宏 ,  片山善文 ,  小高豊

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L24/75 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及芯片焊接机的弯曲电路板的固定方法，程序，记录介质以及芯片焊接机装置。本发明课题在于，作为芯片焊接机的弯曲电路板的固定方法，通过简便方法有效地将弯曲电路板固定在焊接台或薄膜粘接用台上。本发明解决手段在于，在吸附电路板(35)的焊接台(24)的电路板吸附面(24a)上，设有真空吸附腔(28a～28e)。通过真空装置一边吸引真空吸附腔(28a～28e)的空气，一边用安装在焊接臂(15)前端的芯片安装用筒夹(16)推压电路板(35)。通过使得电路板(35)密封真空吸附腔(28a～28e)中至少一个上面，连锁密封其他真空吸附腔(28a～28e)的上面，用电路板(35)密封全部真空吸附腔(28a～28e)的上面，使得电路板(35)吸附在焊接台(24)上。

公开(公告)号：CN105900225B

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201480072889.2

申请日：2014-12-12

申请人： 株式会社新川

发明人： 长野一昭 ,  片山善文 ,  豊田宏树 ,  石塚武 ,  福本真介

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/52

摘要： 本发明涉及一种半导体晶粒的拾取装置及拾取方法。半导体晶粒的拾取装置包括：载台(20)，包含吸附切割片(12)的吸附面(22)；抽吸开口(40)，设置于载台(20)的吸附面(22)；盖(23)，沿着吸附面(22)滑动而开闭抽吸开口(40)；及开口压力切换机构(80)，将抽吸开口(40)的压力在接近于真空的第一压力P1与接近于大气压的第二压力P2之间切换，当拾取半导体晶粒(15)时，每当将抽吸开口(40)的压力自第一压力P1切换为第二压力P2时，使盖(23)仅向打开方向滑动规定距离。由此，抑制半导体晶粒产生损伤而有效果地拾取半导体晶粒。

公开(公告)号：CN106030776B

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201480076316.7

申请日：2014-11-17

申请人： 株式会社新川

发明人： 长野一昭 ,  片山善文 ,  豊田宏树 ,  石塚武 ,  福本眞介

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明涉及一种半导体晶粒的拾取装置及拾取方法。拾取装置包括：平台(20)，包含吸附切割片材(12)的吸附面(22)；阶差面形成机构(300)，包含多个移动元件(30)，形成相对于吸附面(22)的阶差面，所述多个移动元件(30)配置在平台(20)的开口(23)内，且前端面在高于吸附面(22)的第1位置与低于第1位置的第2位置之间移动；以及开口压力切换机构(80)，在接近真空的第1压力P1与接近大气压的第2压力P2之间切换开口(23)的开口压力，且在拾取半导体晶粒(15)时，每当将开口压力自第1压力P1切换为第2压力P2时，使至少一个移动元件(30)自第1位置移动至第2位置。由此，抑制半导体晶粒的损伤的发生而有效地拾取半导体晶粒。

公开(公告)号：CN106030776A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201480076316.7

申请日：2014-11-17

申请人： 株式会社新川

发明人： 长野一昭 ,  片山善文 ,  豊田宏树 ,  石塚武 ,  福本眞介

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67132

摘要： 包括：平台(20)，包含吸附切割片材(12)的吸附面(22)；阶差面形成机构(300)，包含多个移动元件(30)，形成相对于吸附面(22)的阶差面，所述多个移动元件(30)配置在平台(20)的开口(23)内，且前端面在高于吸附面(22)的第1位置与低于第1位置的第2位置之间移动；以及开口压力切换机构(80)，在接近真空的第1压力P1与接近大气压的第2压力P2之间切换开口(23)的开口压力，且在拾取半导体晶粒(15)时，每当将开口压力自第1压力P1切换为第2压力P2时，使至少一个移动元件(30)自第1位置移动至第2位置。由此，抑制半导体晶粒的损伤的发生而有效地拾取半导体晶粒。

公开(公告)号：CN105900225A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201480072889.2

申请日：2014-12-12

申请人： 株式会社新川

发明人： 长野一昭 ,  片山善文 ,  豊田宏树 ,  石塚武 ,  福本真介

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/52

CPC分类号： H01L21/67132 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83

摘要： 包括：载台(20)，包含吸附切割片(12)的吸附面(22)；抽吸开口(40)，设置于载台(20)的吸附面(22)；盖(23)，沿着吸附面(22)滑动而开闭抽吸开口(40)；及开口压力切换机构(80)，将抽吸开口(40)的压力在接近于真空的第一压力P1与接近于大气压的第二压力P2之间切换，当拾取半导体晶粒(15)时，每当将抽吸开口(40)的压力自第一压力P1切换为第二压力P2时，使盖(23)仅向打开方向滑动规定距离。由此，抑制半导体晶粒产生损伤而有效果地拾取半导体晶粒。