发明授权

光刻系统
摘要:
本发明公开了一种光刻系统,包括:具有失真投影系统(PS)的光刻设备(LA);和辐射源(SO),所述辐射源被配置为在等离子体形成位置(4)处生成发射EUV辐射的等离子体,发射EUV辐射的等离子体在基本上垂直于辐射源(SO)的光轴(OA)的平面内具有细长形状。
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