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公开(公告)号：CN107003619B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201580065520.3
申请日：2015-11-16
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： H·巴特勒 , R·M·S·诺普斯 , B·斯特里夫柯克 , C·L·瓦伦汀 , 简·伯纳德·普莱彻尔墨斯·范斯库特 , W·F·J·西蒙斯 , L·L·F·默克斯 , R·J·M·德琼 , R·J·E·梅里 , M·F·伊普玛
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70258 , G03F7/70266 , G03F7/705 , G03F7/706
摘要： 一种用于光刻设备的投影系统(PS1)包括：光学路径(100)、多个传感器(S1‑S4)、一个或更多个致动器(A1‑A4)；和控制器(CN)。所述光学路径能够操作以接收输入辐射束(Bin)和将输出辐射束(Bout)投影到衬底上以形成图像。所述光学路径包括多个光学元件(M1‑M4)，所述多个光学元件包括第一组至少两个光学元件(M1，M4)和第二组至少一个光学元件(M2，M3)。每个传感器与所述多个光学元件中的一个相关联且能够操作以确定该光学元件的位置。每个致动器与所述第二组光学元件中的一个相关联且能够操作以调整该光学元件。所述控制器能够操作以使用所述一个或更多个致动器以依赖于第一组光学元件所确定的位置来调整所述第二组光学元件，以便于至少部分地补偿由所述第一组光学元件的位置所造成的光学像差和/或视线误差。
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公开(公告)号：CN106575085A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580038295.4
申请日：2015-07-06
申请人： ASML荷兰有限公司 , 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70083 , G03F7/70075 , G03F7/70558
摘要： 使用EUV辐射的光刻设备具有被配置用于提供科勒照射的照射器。照射器包括具有多个可独立导向的反射器的场反射镜(422)和具有多个光瞳琢面(4241‑1至4241‑M)的光瞳反射镜(424)，其中可独立导向的反射器被分成多组相邻的可独立导向的反射器、以形成虚拟场琢面(50)，光瞳琢面投影虚拟场琢面的像、以填充照射场(IS)。可独立导向的反射器被控制在非激活状态和至少一个激活状态之间，以便控制传送至衬底的剂量。
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公开(公告)号：CN106062635A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580010021.4
申请日：2015-02-10
申请人： ASML荷兰有限公司 , 卡尔蔡司SMT有限责任公司
发明人： 简·伯纳德·普莱彻尔墨斯·范斯库特 , S·米古拉 , B·柯尼尔
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明公开了一种光刻设备，包括：支撑结构，所述支撑结构被构造为支撑掩模，所述掩模包括图案化区域，所述图案化区域能够将图案在EUV辐射束的横截面内赋予EUV辐射束以形成图案化的辐射束，其中所述支撑结构在扫描方向上能够移动；衬底台，所述衬底台被构造为保持衬底，其中所述衬底台在扫描方向上能够移动；和投影系统，所述投影系统被配置为将图案化的辐射束投影到衬底的曝光区上，其中所述投影系统在扫描方向上的缩小率大于在与扫描方向垂直的第二方向上的缩小率，并且其中在第二方向上的缩小率大于4x。
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公开(公告)号：CN101369102A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810145952.7
申请日：2008-08-14
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/7045 , G03F7/70425 , G03F7/70466 , G03F7/70733 , G03F7/70991
摘要： 本发明公开了通过先或者后曝光衬底上的一个或多个边缘器件而减少衬底在主光刻设备内花费的曝光时间的光刻设备和器件制造方法。由于边缘器件最终不会形成有用装置，所以所述边缘器件可以采用第一光刻装置进行曝光，所述第一光刻装置具有比用于曝光一个或多个由所述衬底生成的其它完整器件的分辨率低的分辨率。因此，对边缘器件的先或者后曝光可以采用更低复杂度的以及成本更低的光刻装置进行。
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公开(公告)号：CN113614645A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080022989.X
申请日：2020-02-20
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： O·F·J·努德曼 , 安东尼厄斯·西奥多勒斯·威廉慕斯·肯彭 , 简·伯纳德·普莱彻尔墨斯·范斯库特 , M·A·范登布林克
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种光刻系统，包括辐射源和光刻设备。辐射源将辐射提供至光刻设备。光刻设备使用辐射将图案成像至位于半导体衬底上的光致抗蚀剂层上的多个目标区域上。成像需要预定剂量的辐射。该系统被控制为根据预定剂量的量值来设定辐射的功率水平。
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公开(公告)号：CN106062635B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201580010021.4
申请日：2015-02-10
申请人： ASML荷兰有限公司 , 卡尔蔡司SMT有限责任公司
发明人： 简·伯纳德·普莱彻尔墨斯·范斯库特 , S·米古拉 , B·柯尼尔
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明公开了一种光刻设备，包括：支撑结构，所述支撑结构被构造为支撑掩模，所述掩模包括图案化区域，所述图案化区域能够将图案在EUV辐射束的横截面内赋予EUV辐射束以形成图案化的辐射束，其中所述支撑结构在扫描方向上能够移动；衬底台，所述衬底台被构造为保持衬底，其中所述衬底台在扫描方向上能够移动；和投影系统，所述投影系统被配置为将图案化的辐射束投影到衬底的曝光区上，其中所述投影系统在扫描方向上的缩小率大于在与扫描方向垂直的第二方向上的缩小率，并且其中在第二方向上的缩小率大于4x。
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公开(公告)号：CN106062636B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201580010247.4
申请日：2015-01-23
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 简·伯纳德·普莱彻尔墨斯·范斯库特 , M·库珀厄斯 , A·M·雅库尼恩
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70433 , G03F7/70033 , G03F7/70066 , G03F7/70091 , G03F7/70241 , G03F7/7025 , G03F7/70425 , G03F7/70483 , H05G2/005 , H05G2/008
摘要： 本发明公开了一种光刻系统，包括：具有失真投影系统(PS)的光刻设备(LA)；和辐射源(SO)，所述辐射源被配置为在等离子体形成位置(4)处生成发射EUV辐射的等离子体，发射EUV辐射的等离子体在基本上垂直于辐射源(SO)的光轴(OA)的平面内具有细长形状。
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公开(公告)号：CN106062636A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580010247.4
申请日：2015-01-23
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 简·伯纳德·普莱彻尔墨斯·范斯库特 , M·库珀厄斯 , A·M·雅库尼恩
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70433 , G03F7/70033 , G03F7/70066 , G03F7/70091 , G03F7/70241 , G03F7/7025 , G03F7/70425 , G03F7/70483 , H05G2/005 , H05G2/008 , G03F7/70041 , G03F7/7005
摘要： 本发明公开了一种光刻系统，包括：具有失真投影系统(PS)的光刻设备(LA)；和辐射源(SO)，所述辐射源被配置为在等离子体形成位置(4)处生成发射EUV辐射的等离子体，发射EUV辐射的等离子体在基本上垂直于辐射源(SO)的光轴(OA)的平面内具有细长形状。
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公开(公告)号：CN102681351B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201210055428.7
申请日：2012-03-05
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： H·K·尼恩黑斯 , M·A·W·崔帕斯 , L·M·莱瓦西尔 , 简·伯纳德·普莱彻尔墨斯·范斯库特 , Y·J·G·范德维基沃尔 , O·V·沃兹纳 , F·J·J·詹森 , D·M·H·菲利普斯 , M·A·C·马兰达 , O·加拉克季奥诺夫 , L·J·A·凡鲍克霍文 , N·坦凯特 , M·兰詹 , A·P·瑞吉普玛 , K·巴尔 , R·W·A·H·施密茨 , A·L·C·勒鲁
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70933 , G03F7/70875 , G03F7/70891
摘要： 本发明公开了一种光刻设备和器件制造方法。所述光刻设备包括：衬底台，构造成保持衬底；投影系统，配置成将图案化的辐射束投影通过开口并投影到衬底的目标部分上；和管道，具有位于开口内的出口。所述管道配置成将气体传送至所述开口。光刻设备还包括由控制系统控制的冷却设备。冷却设备配置成冷却所述气体以使得从开口行进至衬底的气体在其入射到所述衬底上时具有预定的温度。
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公开(公告)号：CN103034066A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210357911.0
申请日：2012-09-24
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 简·伯纳德·普莱彻尔墨斯·范斯库特 , 亨瑞克斯·罗伯特斯·玛丽·范格瑞文波奥克 , V·V·伊万诺夫 , A·M·雅库尼恩 , H·J·M·柯鲁维尔
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70558 , G03F7/70033 , G03F7/70041
摘要： 本发明公开了用于控制EUV曝光剂量的方法和EUV光刻方法及使用这样的方法的设备。光刻设备中的EUV曝光剂量通过改变转换效率而被从脉冲至脉冲控制，以该转换效率通过对应的激励激光辐射脉冲激励燃料材料产生EUV辐射脉冲。转换效率可以以几种不同的方式改变，通过改变与激光束相交的燃料材料的比例，和/或通过改变相互作用的品质。改变转换效率的机制可以基于激光脉冲时序的变化、预先脉冲能量的变化、和/或在一个或更多的方向上的主激光束的可变化的位移。可以包括保持所产生的EUV辐射的对称性的步骤。
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