Invention Grant
- Patent Title: 蚀刻有机膜的方法
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Application No.: CN201610247871.2Application Date: 2016-04-20
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Publication No.: CN106067417BPublication Date: 2019-09-03
- Inventor: 李忠钟 , 胜沼隆幸 , 本田昌伸
- Applicant: 东京毅力科创株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 东京毅力科创株式会社
- Current Assignee: 东京毅力科创株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- Agent 龙淳; 邸万杰
- Priority: 2015-085886 2015.04.20 JP
- Main IPC: H01L21/3065
- IPC: H01L21/3065
Abstract:
本发明提供一种蚀刻有机膜的方法,在有机膜的等离子体蚀刻中改善硬质掩模的形状。在一个实施方式的方法中,在收容有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内生成包含氢气和氮气的处理气体的等离子体。通过处理气体的等离子体的生成,从硬质掩模露出的上述有机膜的一部分区域变化为改性区域。接着,在处理容器内生成稀有气体的等离子体。利用稀有气体的等离子体除去改性区域,并且使从该改性区域释放出的物质堆积在硬质掩模的表面上。该方法交替地反复进行处理气体的等离子体的生成和稀有气体的等离子体的生成。
Public/Granted literature
- CN106067417A 蚀刻有机膜的方法 Public/Granted day:2016-11-02
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IPC分类: