- 专利标题: 使用跨导(gm)负反馈的低噪声和低功率压控振荡器(VCO)
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申请号: CN201580013198.X申请日: 2015-02-20
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公开(公告)号: CN106105024B公开(公告)日: 2019-06-28
- 发明人: T·C·阮 , J·杨 , P·T·布罗肯布劳格 , A·比卡科西 , A·萨弗拉 , S·王
- 申请人: 高通股份有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 高通股份有限公司
- 当前专利权人: 高通股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 王茂华
- 优先权: 14/204,542 2014.03.11 US
- 国际申请: PCT/US2015/016900 2015.02.20
- 国际公布: WO2015/138105 EN 2015.09.17
- 进入国家日期: 2016-09-09
- 主分类号: H03B5/12
- IPC分类号: H03B5/12
摘要:
本公开的某些方面通常涉及使用与传统VCOs相比降低或可调负跨导(‑gm)的压控振荡器(VCOs)。该‑gm负反馈技术抑制噪声注入VCO的电感器‑电容器(LC)储能电路中,由此对于给定VCO电压摆幅提供了较低的信噪比(SNR),较低的功耗,以及降低的相位噪声。一个示例性VCO通常包括谐振槽电路,与谐振槽电路链接的有源负跨导电路,以及用于拉或灌偏置电流通过谐振槽电路和有源负跨导电路以产生振荡信号的偏置电流电路。有源负跨导电路包括交叉耦合的晶体管,以及连接在交叉耦合晶体管与参考电压之间的阻抗。
公开/授权文献
- CN106105024A 使用跨导(gm)负反馈的低噪声和低功率压控振荡器(VCO) 公开/授权日:2016-11-09