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公开(公告)号:CN106105024A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201580013198.X
申请日:2015-02-20
申请人: 高通股份有限公司
IPC分类号: H03B5/12
CPC分类号: H03B5/1212 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/1237 , H03B5/1262 , H03B5/1278 , H03B5/1287 , H03B2200/0038 , H03B2200/0082 , H03B2200/009 , H04B1/40
摘要: 本公开的某些方面通常涉及使用与传统VCOs相比降低或可调负跨导(‑gm)的压控振荡器(VCOs)。该‑gm负反馈技术抑制噪声注入VCO的电感器‑电容器(LC)储能电路中,由此对于给定VCO电压摆幅提供了较低的信噪比(SNR),较低的功耗,以及降低的相位噪声。一个示例性VCO通常包括谐振槽电路,与谐振槽电路链接的有源负跨导电路,以及用于拉或灌偏置电流通过谐振槽电路和有源负跨导电路以产生振荡信号的偏置电流电路。有源负跨导电路包括交叉耦合的晶体管,以及连接在交叉耦合晶体管与参考电压之间的阻抗。
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公开(公告)号:CN106105024B
公开(公告)日:2019-06-28
申请号:CN201580013198.X
申请日:2015-02-20
申请人: 高通股份有限公司
IPC分类号: H03B5/12
CPC分类号: H03B5/1212 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/1237 , H03B5/1262 , H03B5/1278 , H03B5/1287 , H03B2200/0038 , H03B2200/0082 , H03B2200/009 , H04B1/40
摘要: 本公开的某些方面通常涉及使用与传统VCOs相比降低或可调负跨导(‑gm)的压控振荡器(VCOs)。该‑gm负反馈技术抑制噪声注入VCO的电感器‑电容器(LC)储能电路中,由此对于给定VCO电压摆幅提供了较低的信噪比(SNR),较低的功耗,以及降低的相位噪声。一个示例性VCO通常包括谐振槽电路,与谐振槽电路链接的有源负跨导电路,以及用于拉或灌偏置电流通过谐振槽电路和有源负跨导电路以产生振荡信号的偏置电流电路。有源负跨导电路包括交叉耦合的晶体管,以及连接在交叉耦合晶体管与参考电压之间的阻抗。
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