发明公开
- 专利标题： 半导体用铜合金接合线
- 专利标题（英）： Copper alloy bonding wire for semiconductor
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申请号： CN201610480089.5申请日： 2010-06-23
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公开(公告)号： CN106119595A公开(公告)日： 2016-11-16
- 发明人: 宇野智裕 , 寺岛晋一 , 山田隆 , 小田大造
- 申请人： 新日铁住金高新材料株式会社 , 日铁住金新材料股份有限公司
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 新日铁住金高新材料株式会社,日铁住金新材料股份有限公司
- 当前专利权人： 日铁化学材料株式会社,日铁住金新材料股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理商 杨光军; 段承恩
- 优先权： 2009-150206 2009.06.24 JP
- 分案原申请号： 2010800247729 2010.06.23
- 主分类号： C22C9/00
- IPC分类号： C22C9/00 ; C22F1/08 ; H01L21/60 ; H01L23/49 ; C22F1/00
摘要：
本发明的目的是提供一种材料费便宜、在高湿高温环境下的PCT可靠性优异，而且热循环试验的TCT可靠性、球压接形状、楔接合性、环路形成性等也良好的半导体元件用铜系接合线。本发明的半导体用铜合金接合线，其特征在于，是将铜合金拉丝加工而成的，所述铜合金含有0.13～1.15质量％的Pd，其余量为铜和不可避免的杂质。
