公开(公告)号：CN108369914A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680073281.0

申请日：2016-06-24

申请人： 新日铁住金高新材料株式会社 ,  日铁住金新材料股份有限公司

发明人： 小山田哲哉 ,  宇野智裕 ,  小田大造 ,  山田隆

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06

摘要： 一种半导体装置用接合线，其适于确保较高的接合可靠性、并且具有优异的耐劈刀磨损性和表面缺陷耐受性，还满足球形成性、楔接合性等综合性能的车载用器件用接合线，具有Cu合金芯材、被形成在上述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层、以及被形成在上述Pd被覆层的表面的Cu表面层，该半导体装置用接合线的特征在于，含有Ni，Ni相对于线整体的浓度为0.1～1.2wt.％，上述Pd被覆层的厚度为0.015～0.150μm，上述Cu表面层的厚度为0.0005～0.0070μm。

公开(公告)号：CN102422404B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201080019191.6

申请日：2010-07-16

申请人： 新日铁住金高新材料株式会社 ,  日铁住金新材料股份有限公司

发明人： 寺岛晋一 ,  宇野智裕 ,  山田隆 ,  小田大造

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C22C5/06

CPC分类号： C22C5/04 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4516 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/85564 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2924/20652 ,  H01L2924/20655 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

摘要： 本发明提供即使对于镀钯的引线框也能够确保良好的楔接合性、耐氧化性优异的以铜或铜合金为芯线的半导体用接合线。该半导体用接合线的特征在于，具有由铜或铜合金构成的芯线、在该芯线的表面的具有10～200nm的厚度的含有钯的被覆层和在该被覆层的表面的具有1～80nm的厚度的含有贵金属和钯的合金层，所述贵金属为银或金，所述合金层中的所述贵金属的浓度为10体积％～75体积％。

公开(公告)号：CN101689519B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN200880024022.4

申请日：2008-12-02

申请人： 新日铁住金高新材料株式会社 ,  日铁住金新材料股份有限公司

发明人： 宇野智裕 ,  木村圭一 ,  山田隆

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00

CPC分类号： C22C5/04 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45673 ,  H01L2224/45676 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/851 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3861 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/20652 ,  H01L2924/20656 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45657 ,  H01L2224/45671 ,  H01L2224/45666 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/20658 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01006

摘要： 本发明涉及半导体装置用接合引线。本发明的目的在于提供引线的表面性状、环路的直线性、环路高度的稳定性、引线的接合形状的稳定化优良也适用于细线化、窄间距化、长跨度化、三维安装等的半导体安装技术的高性能的接合引线。作为具有包括导电性金属的芯材、和在该芯材上以与芯材不相同的面心立方晶格的金属为主要成分的表皮层的半导体装置用接合引线，特征为：所述表皮层的表面中的长度方向的晶体取向 中， 所占的比例为50％以上。

公开(公告)号：CN107533992A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680027572.6

申请日：2016-06-14

申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 ,  新日铁住金高新材料株式会社

发明人： 山田隆 ,  小田大造 ,  榛原照男 ,  大石良 ,  斋藤和之 ,  宇野智裕

IPC分类号： H01L21/60

摘要： 一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，其特征在于，所述接合线包含赋予高温环境下的连接可靠性的元素，由下述式(1)定义的耐力比为1.1～1.6。耐力比＝最大耐力/0.2％耐力(1)。

公开(公告)号：CN106119595A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610480089.5

申请日：2010-06-23

申请人： 新日铁住金高新材料株式会社 ,  日铁住金新材料股份有限公司

发明人： 宇野智裕 ,  寺岛晋一 ,  山田隆 ,  小田大造

IPC分类号： C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  H01L21/60 ,  H01L23/49 ,  C22F1/00

摘要： 本发明的目的是提供一种材料费便宜、在高湿高温环境下的PCT可靠性优异，而且热循环试验的TCT可靠性、球压接形状、楔接合性、环路形成性等也良好的半导体元件用铜系接合线。本发明的半导体用铜合金接合线，其特征在于，是将铜合金拉丝加工而成的，所述铜合金含有0.13～1.15质量％的Pd，其余量为铜和不可避免的杂质。

公开(公告)号：CN105324838A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201580000889.6

申请日：2015-03-31

申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 ,  新日铁住金高新材料株式会社

发明人： 山田隆 ,  小田大造 ,  大石良 ,  榛原照男 ,  宇野智裕

IPC分类号： H01L21/60 ,  B21C1/00 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14

CPC分类号： H01L24/45 ,  B21C1/00 ,  B21C1/003 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/3006 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45012 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01017 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01201

摘要： 本发明为了同时抑制倾斜不良和弹回不良，提供一种半导体装置用接合线，其特征在于，(1)在包含线中心、并与线长度方向平行的截面(线中心截面)中，不存在长径a与短径b之比a/b为10以上且面积为15μm2以上的晶粒(纤维状组织)；(2)测定线中心截面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向 的存在比率以面积比率计为50％以上且90％以下；(3)测定线表面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向 的存在比率以面积比率计为50％以上且90％以下。在拉丝工序中进行至少1次减面率为15.5％以上的拉丝加工，将最终热处理温度和最终热处理之前的离最终热处理最近的那次热处理的温度设为规定范围。

公开(公告)号：CN108292612A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680070327.3

申请日：2016-09-23

申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 ,  新日铁住金高新材料株式会社

发明人： 小田大造 ,  大壁巧 ,  榛原照男 ,  山田隆 ,  小山田哲哉 ,  宇野智裕

IPC分类号： H01L21/60

摘要： 本发明的课题是提供实现球接合部的充分且稳定的接合强度，即使在低环时也不会发生颈损伤，倾斜特性良好，FAB形状良好的以Ag为主成分的半导体装置用接合线。为了解决所述课题，本发明涉及的半导体装置用接合线，其特征在于，含有总计为0.031原子％～0.180原子％的Be、B、P、Ca、Y、La、Ce中的一种以上，还含有总计为0.05原子％～5.00原子％的In、Ga、Cd中的一种以上，余量包含Ag和不可避免的杂质。由此，能够成为能充分地形成球部接合界面的金属间化合物层来确保球接合部的接合强度，并且即使在低环时也不会发生颈损伤，倾斜特性良好，FAB形状良好的半导体装置用接合线。

公开(公告)号：CN107041160A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201580002609.5

申请日：2015-06-05

申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 ,  新日铁住金高新材料株式会社

发明人： 小田大造 ,  江藤基稀 ,  山田隆 ,  榛原照男 ,  大石良 ,  宇野智裕 ,  小山田哲哉

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08

CPC分类号： H01L24/45 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45609 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85054 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/8509 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20656 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

摘要： 本发明提供一种适合车载用装置的接合线，其是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线，改善了高温高湿环境下的球接合部的接合可靠性。一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材、和在所述Cu合金芯材的表面形成的Pd被覆层，该接合线包含0.011～1.2质量％的In，Pd被覆层的厚度为0.015～0.150μm。因此，能够提高高温高湿环境下的球接合部的接合寿命并改善接合可靠性。当Cu合金芯材含有分别为0.05～1.2质量％的Pt、Pd、Rh、Ni中的1种以上时，能够提高在175℃以上的高温环境下的球接合部可靠性。另外，当在Pd被覆层的表面进一步形成Au表皮层时，楔接合性改善。

公开(公告)号：CN106688086A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201680002657.9

申请日：2016-05-19

申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 ,  新日铁住金高新材料株式会社

发明人： 山田隆 ,  小田大造 ,  榛原照男 ,  大石良 ,  斋藤和之 ,  宇野智裕

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： B23K35/0227 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/40 ,  B32B15/00 ,  B32B15/01 ,  B32B15/018 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  C23C30/00 ,  C23C30/005 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45118 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/45178 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/186 ,  Y10T428/12868 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12882 ,  Y10T428/12889 ,  Y10T428/12896 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/1291 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/265 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01013

摘要： 一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于其表面的Pd被覆层，可谋求高温下的球接合部的接合可靠性的提高和耐力比(＝最大耐力/0.2％耐力)为1.1～1.6。通过在线中包含赋予高温环境下的连接可靠性的元素来提高在高温下的球接合部的接合可靠性，而且，在对与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面测定晶体取向所得到的结果中，通过使线长度方向的晶体取向之中相对于线长度方向角度差为15度以下的晶体取向＜100＞的取向比率为30％以上，使与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面的平均结晶粒径为0.9～1.5μm，从而使耐力比为1.6以下。

公开(公告)号：CN105247668B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580000862.7

申请日：2015-03-31

申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 ,  新日铁住金高新材料株式会社

发明人： 山田隆 ,  小田大造 ,  大石良 ,  榛原照男 ,  宇野智裕

IPC分类号： H01L21/60 ,  B21C1/00 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14

CPC分类号： H01L24/45 ,  B21C1/00 ,  B21C1/003 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01017 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005

摘要： 本发明为了同时抑制倾斜不良和弹回不良，提供一种半导体装置用接合线，其特征在于，(1)在包含线中心、并与线长度方向平行的截面(线中心截面)中，不存在长径a与短径b之比a/b为10以上且面积为15μm2以上的晶粒(纤维状组织)；(2)测定线中心截面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向＜100＞的存在比率以面积比率计为10％以上且小于50％；(3)测定线表面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向＜100＞的存在比率以面积比率计为70％以上。在拉丝工序中进行至少1次减面率为15.5％以上的拉丝加工，将最终热处理温度和最终热处理之前的离最终热处理最近的那次热处理的温度设为规定范围。