本发明公开了一种芯片及其制作方法。其中该芯片包括：衬底；中间功能区，设置在衬底上，其上设有中间穿透硅通孔，中间穿透硅通孔的内壁上形成有阻挡层，且中间穿透硅通孔中设置有导电层；边缘功能区，设置在衬底上，其上设有边缘穿透硅通孔，边缘穿透硅通孔的内壁上形成有阻挡层，其中，该芯片还包括设置于边缘穿透硅通孔内的介质层。该介质层能避免边缘穿透硅通孔的内壁直接裸露，从而避免缘穿透硅通孔内壁上的阻挡层因外部应力等发生开裂，甚至剥落，进而避免了由于阻挡层剥落造成的颗粒状缺陷以及芯片良率的降低，使得芯片的稳定性得到提高。