- 专利标题： 用于包括具有低接触电阻的衬垫硅化物的集成电路制作的工艺
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申请号： CN201510149770.7申请日： 2015-03-31
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公开(公告)号： CN106158797B公开(公告)日： 2019-02-05
- 发明人: 柳青 , W·克里梅尔
- 申请人： 意法半导体公司
- 申请人地址： 美国得克萨斯州
- 专利权人： 意法半导体公司
- 当前专利权人： 意法半导体公司
- 当前专利权人地址： 美国得克萨斯州
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理商 王茂华; 吕世磊
- 优先权： 14/520,781 2014.10.22 US
- 主分类号： H01L23/482
- IPC分类号： H01L23/482 ; H01L21/768
摘要：
本公开涉及一种用于包括具有低接触电阻的衬垫硅化物的集成电路制作的工艺。一种集成电路包括支撑具有源极区域和漏极区域的晶体管的衬底。在晶体管的源极区域和漏极区域上存在高掺杂浓度德尔塔掺杂层。成组的接触延伸通过覆盖晶体管的金属前电介质层。硅化物区域被提供在成组的接触的底部处。硅化物区域通过在接触的底部处存在的金属与晶体管的源极区域和漏极区域上的高掺杂浓度德尔塔掺杂层之间的自对准硅化反应形成。
公开/授权文献
- CN106158797A 用于包括具有低接触电阻的衬垫硅化物的集成电路制作的工艺 公开/授权日：2016-11-23
IPC分类:
