高密度电阻性随机存取存储器(RRAM)

    公开(公告)号:CN110600499B

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN201910990201.3

    申请日:2015-12-30

    发明人: 柳青 J·H·张

    IPC分类号: H10B63/00 H10N70/20

    摘要: 一种电阻性随机存取存储器(RRAM)结构形成于支撑衬底上并且包括第一电极和第二电极。该第一电极是由在该支撑衬底上的硅化物化的鳍以及覆盖该硅化物化的鳍的第一金属内衬层制成的。具有可配置的电阻性质的电介质材料层覆盖该第一金属内衬层的至少一部分。该第二电极是由覆盖该电介质材料层的第二金属内衬层以及与该第二金属内衬层相接触的金属填充物制成的。非易失性存储器单元包括电连接于存取晶体管与位线之间的RRAM结构。

    以鳍式FET技术实现的集成式拉伸性应变硅NFET和压缩性应变硅锗PFET

    公开(公告)号:CN110310925B

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN201910510981.7

    申请日:2015-12-30

    发明人: 柳青 P·莫林

    摘要: 对拉伸性应变的硅层进行图案化以形成在第一衬底区域中的第一组鳍以及在第二衬底区域中的第二组鳍。该第二组鳍覆盖有拉伸性应变的材料,并且执行退火以使在该第二组鳍中的拉伸性应变的硅半导体材料弛豫并在该第二区域中产生多个弛豫的硅半导体鳍。该第一组鳍覆盖有掩模,并且在这些弛豫的硅半导体鳍上提供硅锗材料。然后,将来自该硅锗材料的锗驱入这些弛豫的硅半导体鳍中以在该第二衬底区域中产生多个压缩性应变的硅锗半导体鳍(从中形成多个p沟道鳍式FET器件)。去除该掩模以显露出在该第一衬底区域中的多个拉伸性应变的硅半导体鳍(从中形成多个n沟道鳍式FET器件)。

    用于对安全元件与主机设备进行加密对准和绑定的方法和装置

    公开(公告)号:CN112016103B

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202010470814.7

    申请日:2020-05-28

    发明人: G·皮罗兹

    摘要: 本公开的实施例涉及将安全元件加密地绑定到主机设备的方法和将安全元件与主机设备加密地对准的方法。将安全元件加密地绑定到主机设备的方法包括:将主机密钥信息存储在安全元件的主机密钥信息槽中以及将绑定信息存储在安全元件的安全存储器中。绑定信息与主机密钥信息相关。方法包括将第二秘密密钥存储在主机设备的系统操作代码内。第二秘密密钥与主机密钥信息加密地相关。方法包括:在存储绑定信息之后并且在存储第二秘密密钥之后,将安全元件操作地耦合到主机设备;由主机设备从安全元件读取绑定信息;由主机设备使用绑定信息和第二秘密密钥来生成主机密钥信息;以及由主机设备将主机密钥信息存储在主机设备的主机密钥信息槽中。

    NFC天线开关
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112086760B

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202010530051.0

    申请日:2020-06-11

    发明人: P·里佐

    摘要: 本公开的实施例涉及NFC天线开关。本公开提供了使用共享控制器来操作多个天线的电路和方法。在一个实施例中,方法包括:在第一配置中,将第一天线耦合到共享控制器,并且将第二天线与共享控制器解耦。使用第一匹配电路和第一滤波器将第一天线耦合到共享控制器。方法进一步包括:操作可控激活组件以定义第二配置状态,该第二配置状态通过将第一天线与共享控制器解耦并且将第二天线耦合到共享控制器而形成。在该实施例中,使用第二匹配电路和第二滤波器将第二天线耦合到共享控制器。第一匹配电路的至少一个电容器被用于第二滤波器,并且第二匹配电路的至少一个电容器被用于第一滤波器。

    MEMS陀螺仪启动过程和电路
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116892918A

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202310352531.6

    申请日:2023-04-04

    IPC分类号: G01C19/5776

    摘要: 本公开涉及MEMS陀螺仪启动过程和电路。在微机电系统(MEMS)陀螺仪的启动时,驱动信号被抑制,并且任何残余机械振荡的相位、频率和幅度被感测并被处理以确定用于启动的过程路径。在残余机械振荡的感测频率是杂散模式频率并且残余机械振荡的品质因数足够的情况下,将反相信号作为MEMS陀螺仪驱动信号来施加,以便实现残余机械振荡的主动衰减。然后可以执行突跳阶段以发起振荡。此外,在残余机械振荡的感测频率是具有足够驱动能量的谐振模式频率的情况下,将具有锁相环频率控制和由驱动能量控制的幅度的正交相位信号作为MEMS陀螺仪驱动信号来施加,以便引发受控振荡。

    通过感测瞬态事件和连续事件的智能装置的情境感知

    公开(公告)号:CN116738284A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202310679601.9

    申请日:2019-01-25

    IPC分类号: G06F18/24 G01D21/02 A61B5/11

    摘要: 本公开的实施例涉及通过感测瞬态事件和连续事件的智能装置的情境感知。分布式计算系统用于自主地了解智能装置的环境情境中的人工智能。原始情境数据由与智能装置相关联的传感器检测。原始情境数据由智能装置预处理,并且然后被提供至基于云的服务器以进行进一步处理。在基于云的服务器处,各种特征数据集合从经预处理的情境数据而获得。各种特征数据集合被与对应的分类参数相比较,以确定在情境中发生的连续事件的分类和/或瞬态事件的分类(如果有的话)。连续事件和瞬态事件的所确定的分类将被用于自主地配置智能装置或者另一相关智能装置,以适应情境。

    通过感测瞬态事件和连续事件的智能装置的情境感知

    公开(公告)号:CN110276235B

    公开(公告)日:2023-06-16

    申请号:CN201910072433.0

    申请日:2019-01-25

    IPC分类号: G06F18/24 G01D21/02 A61B5/11

    摘要: 本公开的实施例涉及通过感测瞬态事件和连续事件的智能装置的情境感知。分布式计算系统用于自主地了解智能装置的环境情境中的人工智能。原始情境数据由与智能装置相关联的传感器检测。原始情境数据由智能装置预处理,并且然后被提供至基于云的服务器以进行进一步处理。在基于云的服务器处,各种特征数据集合从经预处理的情境数据而获得。各种特征数据集合被与对应的分类参数相比较,以确定在情境中发生的连续事件的分类和/或瞬态事件的分类(如果有的话)。连续事件和瞬态事件的所确定的分类将被用于自主地配置智能装置或者另一相关智能装置,以适应情境。

    高电压比较器
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109150143B

    公开(公告)日:2023-06-16

    申请号:CN201810564349.6

    申请日:2018-06-04

    发明人: P·纳拉莫苏

    IPC分类号: H03K17/082 H03K17/687

    摘要: 本公开提供了高电压比较器。一种电子设备包括功率开关,该功率开关具有被耦合到第一节点的控制端子、被耦合到第二节点的第一传导端子以及被耦合到第三节点的第二传导端子。监控电路具有被耦合到第一节点的第一输入和被耦合到第二节点的第二输入,监控电路根据在其第一输入和第二输入处所接收到的第一电压和第二电压来生成指示功率开关上的栅极氧化物应力的监控信号。当监控信号指示功率开关上的栅极氧化物应力时,保护电路驱动以保护功率开关免受栅极氧化物应力。监控信号是基于以下电流的比较而生成的:基于第一节点和第二节点处的电压而生成的电流、以及基于可编程参考电压而生成的电流。

    使用可变激励电压和固定定时的MEMS加速度计自测试

    公开(公告)号:CN116027065A

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202211305845.2

    申请日:2022-10-24

    IPC分类号: G01P21/00

    摘要: 本公开涉及使用可变激励电压和固定定时的MEMS加速度计自测试。一种微机电系统(MEMS)加速度计传感器具有移动质量块和感测电容器。为了对传感器进行自测试,将具有可变受控激励电压和固定脉冲宽度的测试信号施加到感测电容器。测试信号的前沿和后沿被对齐,以与耦合至感测电容器的感测电路的重置阶段一致。测试信号的可变受控激励电压被配置为产生静电力,该静电力产生移动质量块的期望物理位移。在感测电路的读取阶段期间,由于移动质量块的实际物理位移而产生的感测电容器的电容变化被感测,以与期望物理位移进行比较。