本发明涉及一种双向超低电容TVS及其制作方法。该TVS包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的第一外延层；第一导电类型的第三外延层；在第一外延层和第三外延层之间形成的第二导电类型的第一埋层；在第三外延层中与第一埋层相对形成的第二导电类型的第一掺杂区；在第三外延层中形成的第一导电类型的第二掺杂区，其中第二掺杂区与第一埋层不相对；第一沟槽，其中第一沟槽自第三外延层表面延伸至半导体衬底内；第二沟槽，其中第二沟槽自第三外延层表面延伸穿过第三外延层；第一绝缘介质，填充在第一沟槽和第二沟槽中；第三沟槽，第三沟槽自第三外延层表面延伸穿过第一埋层至第一外延层内；有源区，其由在第三沟槽中填充的原位多晶硅并退火形成。