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发明公开
CN106158858A 半导体器件结构和方法 有权

半导体器件结构和方法
摘要：
提供了多层半导体器件结构和制造方法。在一个实施例中，第一半导体层、第一绝缘体层、第二半导体层、第二绝缘体层和第三半导体层形成在衬底上方。第一晶体管包括第一半导体层、第一绝缘体层和第二半导体层，以及第二晶体管包括第二半导体层、第二绝缘体层和第三半导体层。
摘要（英）：

A multi-layered semiconductor device and method of manufacture are provided. In an embodiment a first semiconductor layer, a first insulator layer, a second semiconductor layer, a second insulator layer, and a third semiconductor layer are formed over a substrate. A first transistor comprises the first semiconductor layer, the first insulator layer, and the second semiconductor layer, and a second transistor comprises the second semiconductor layer, the second insulator layer, and the third semiconductor layer.

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