发明公开
- 专利标题: 一种GIS盆式绝缘子表面缺陷模型
- 专利标题(英): GIS basin-type insulator surface defect model
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申请号: CN201610773807.8申请日: 2016-08-31
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公开(公告)号: CN106199360A公开(公告)日: 2016-12-07
- 发明人: 李渊 , 康钧 , 李军浩 , 韩旭涛 , 张亮 , 胡梦晨 , 曲全磊 , 蒋玲 , 谢艳丽
- 申请人: 国家电网公司 , 国网青海省电力公司 , 国网青海省电力公司电力科学研究院 , 西安交通大学
- 申请人地址: 北京市西城区西长安街86号
- 专利权人: 国家电网公司,国网青海省电力公司,国网青海省电力公司电力科学研究院,西安交通大学
- 当前专利权人: 国家电网公司,国网青海省电力公司,国网青海省电力公司电力科学研究院,西安交通大学
- 当前专利权人地址: 北京市西城区西长安街86号
- 代理机构: 武汉帅丞知识产权代理有限公司
- 代理商 朱必武; 刘国斌
- 主分类号: G01R31/12
- IPC分类号: G01R31/12
摘要:
本发明提供一种GIS盆式绝缘子表面缺陷模型,其特征在于,所述表面缺陷模型包括高压电极和地电极,所述高压电极和地电极之间放置有圆台形环氧块,用以模拟盆式绝缘子材料和结构,所述高压电极、圆台形环氧块和地电极三者紧密接触。本发明解决了现有技术无法针对盆式绝缘子表面存在污秽时进行试验的问题,满足了GIS表面缺陷放电特性研究的需要,为GIS盆式绝缘子表面缺陷放电特性研究开辟了一条崭新路径。