本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件的形成方法包括：在去除部分第一阻挡材料层，形成露出覆盖在栅极，以及部分导电层的第一阻挡层，并在第一阻挡层露出的栅极以及导电层上形成金属硅化物层后，在所述半导体衬底上形成填充层。所述填充层填充在去除部分第一阻挡材料层过程中，因为去除了部分侧墙致使在侧墙和栅极之间形成的缺口。从而提高后续形成的半导体器件的导电层和栅极之间的绝缘性，以避免后续使用过程中，出现因为侧墙和栅极之间的缺口从而造成导电层和栅极被击穿的缺陷的现象，从而进一步降低栅极和导电层之间被击穿的概率，提高后续形成的半导体器件的性能。