Invention Grant
- Patent Title: 半导体器件以及半导体器件的制造方法
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Application No.: CN201480077989.4Application Date: 2014-04-14
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Publication No.: CN106233462BPublication Date: 2019-07-19
- Inventor: 渡边真司 , 木田刚 , 小野善宏 , 森健太郎 , 坂田贤治 , 山田裕介
- Applicant: 瑞萨电子株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京市金杜律师事务所
- Agent 陈伟; 闫剑平
- International Application: PCT/JP2014/060603 2014.04.14
- International Announcement: WO2015/159338 JA 2015.10.22
- Date entered country: 2016-10-13
- Main IPC: H01L25/065
- IPC: H01L25/065 ; H01L25/07 ; H01L25/18

Abstract:
一个实施方式的半导体器件在第一半导体芯片的第一背面上搭载有第二半导体芯片。另外,第一半导体芯片的上述第一背面中包含:第一区域,在该第一区域形成经由突起电极而与上述第二半导体芯片电连接的多个第一背面电极;以及第二区域,该第二区域比上述第一区域更靠周缘部侧,并且在该第二区域形成第一金属图案。另外,上述第一金属图案相对于上述第一背面的突出高度比上述多个第一背面电极分别相对于上述第一背面的突出高度低。
Public/Granted literature
- CN106233462A 半导体器件以及半导体器件的制造方法 Public/Granted day:2016-12-14
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IPC分类: