一种Sm-Co基永磁薄膜及其制备方法
Abstract:
本发明公开了一种Sm‑Co基永磁薄膜及其制备方法。涉及Sm‑Co基永磁薄膜技术领域,包括基体和位于基体表面的Sm‑Co薄膜层,所述的基体与Sm‑Co薄膜层之间设置缓冲层,所述的缓冲层是四层结构,一层是位于基体表面的Cu薄膜层,在Cu薄膜层表面的是W‑Cu薄膜,位于W‑Cu薄膜层表面的Ni‑W薄膜层,位于Ni‑W薄膜层表面的Ni薄膜层。使用磁控溅射方法,得到的Sm‑Co基永磁薄膜具有较好的膜基结合力,经过高温处理也未出现裂纹,且具有较好的磁性能。
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