Invention Grant
- Patent Title: 一种Sm-Co基永磁薄膜及其制备方法
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Application No.: CN201610638117.1Application Date: 2016-08-04
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Publication No.: CN106252022BPublication Date: 2018-05-01
- Inventor: 吴小平 , 王顺利 , 史建君 , 李小云 , 金立 , 杨欧
- Applicant: 浙江理工大学
- Applicant Address: 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街928号
- Assignee: 浙江理工大学
- Current Assignee: 山东小尘化工科技有限公司
- Current Assignee Address: 274000 山东省菏泽市鄄城县凤凰镇雷泽大道与城濮街交叉口东800米路北
- Agency: 南京正联知识产权代理有限公司
- Agent 顾伯兴
- Main IPC: H01F10/16
- IPC: H01F10/16 ; H01F10/30 ; H01F41/18
Abstract:
本发明公开了一种Sm‑Co基永磁薄膜及其制备方法。涉及Sm‑Co基永磁薄膜技术领域,包括基体和位于基体表面的Sm‑Co薄膜层,所述的基体与Sm‑Co薄膜层之间设置缓冲层,所述的缓冲层是四层结构,一层是位于基体表面的Cu薄膜层,在Cu薄膜层表面的是W‑Cu薄膜,位于W‑Cu薄膜层表面的Ni‑W薄膜层,位于Ni‑W薄膜层表面的Ni薄膜层。使用磁控溅射方法,得到的Sm‑Co基永磁薄膜具有较好的膜基结合力,经过高温处理也未出现裂纹,且具有较好的磁性能。
Public/Granted literature
- CN106252022A 一种Sm-Co基永磁薄膜及其制备方法 Public/Granted day:2016-12-21
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