公开(公告)号：CN110911085B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201911139291.1

申请日：2019-11-20

申请人： 钢铁研究总院

发明人： 朱明刚 ,  郭英健 ,  孙亚超 ,  李卫

IPC分类号： H01F10/12 ,  H01F10/30 ,  H01F10/28 ,  H01F41/02 ,  H01F41/18

摘要： 本发明属于稀土永磁薄膜的制备领域，具体涉及一种具有斯格明子结构的低矫顽力的稀土‑Fe‑B复合薄膜及制备方法。该复合薄膜为X/Y、X/Y/X、Y/X/Y多层结构中的一种，其中X、Y为磁性层，其成分分别为Nd(RE1)Fe(M)B、Ce(RE2)Fe(M)B，采用磁控溅射方式制备；相邻的磁性层之间设有隔离层；所述复合薄膜具有自发形成的斯格明子结构。制备方法通过磁控溅射分次溅射钕铁硼和铈铁硼薄膜，两种成分的薄膜构成多层结构；然后经回火处理，得到具有低矫顽力、自发形成斯格明子结构的复合薄膜。该薄膜材料在微磁性磁性材料、电控磁记录、磁储存领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN108182958A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201810124824.8

申请日：2013-10-10

申请人： 海德威科技公司 ,  诺真·杰 ,  童儒颖

发明人： 诺真·杰 ,  童儒颖

IPC分类号： G11C11/16 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01F41/30 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01F10/12

摘要： 一种磁性元件，其中揭露一种如氮化钽/镁复合式晶种层以增强垂直磁异向性于覆盖式磁性层，其可为参考层、自由层或是偶极层。晶种层由一单一层所形成，晶种层为一合金，其包含钽(Ta)、锆(Zr)、铌(Nb)、氮化钽(TaN)、氮化锆(ZrN)、氮化铌(NbN)及钌(Ru)之一，以及镁(Mg)、锶(Sr)、钛(Ti)、铝(Al)、钒(V)、铪(Hf)、硼(B)、硅(Si)、镁锆(MgZr)及镁铌(MgNb)之一，由镍镉或其合金所制成的成长促进层可插入在晶种层及磁性层间，磁性元件具有至少400℃的热稳定性。

公开(公告)号：CN108022714A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201610934742.0

申请日：2016-10-31

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 张同文 ,  杨玉杰 ,  夏威 ,  丁培军 ,  王厚工

IPC分类号： H01F10/14 ,  H01F10/30 ,  H01F1/147 ,  H01F41/18

摘要： 本发明提供了一种软磁薄膜及其制备方法。本发明的软磁薄膜，包括堆叠设置的多组层结构，每组层结构包括软磁材料层及位于软磁材料层上方的介质层，每组层结构还包括第一粘结层和/或第二粘结层，第一粘结层和第二粘结层用于增强层结构的粘附性；其中，第一粘结层位于软磁材料层和介质层之间，和/或，第二粘结层位于介质层之上。本发明的软磁薄膜的制备方法，包括循环制备层结构的步骤，以形成堆叠设置的多组层结构，制备层结构的步骤包括：S1：溅射软磁材料层；S2：溅射介质层；在S1和S2之间还包括S3：在软磁材料层上溅射第一粘结层；和/或，在S2之后还包括S4：在介质层上溅射第二粘结层。

公开(公告)号：CN106252022B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201610638117.1

申请日：2016-08-04

申请人： 浙江理工大学

发明人： 吴小平 ,  王顺利 ,  史建君 ,  李小云 ,  金立 ,  杨欧

IPC分类号： H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01F41/18

摘要： 本发明公开了一种Sm‑Co基永磁薄膜及其制备方法。涉及Sm‑Co基永磁薄膜技术领域，包括基体和位于基体表面的Sm‑Co薄膜层，所述的基体与Sm‑Co薄膜层之间设置缓冲层，所述的缓冲层是四层结构，一层是位于基体表面的Cu薄膜层，在Cu薄膜层表面的是W‑Cu薄膜，位于W‑Cu薄膜层表面的Ni‑W薄膜层，位于Ni‑W薄膜层表面的Ni薄膜层。使用磁控溅射方法，得到的Sm‑Co基永磁薄膜具有较好的膜基结合力，经过高温处理也未出现裂纹，且具有较好的磁性能。

公开(公告)号：CN105814632A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201580003028.3

申请日：2015-05-12

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 片冈弘康 ,  菊池洋人 ,  吉田旭 ,  岛津武仁

IPC分类号： G11B5/851 ,  G11B5/64 ,  G11B5/65 ,  G11B5/66 ,  G11B5/738 ,  H01F10/14 ,  H01F10/30

CPC分类号： G11B5/851 ,  G11B5/64 ,  G11B5/65 ,  G11B5/653 ,  G11B5/66 ,  G11B5/732 ,  G11B5/84 ,  G11B5/8404 ,  H01F10/123

摘要： 提供一种包括在维持高的磁各向异性的同时具有期望的膜厚的磁记录层、并且使磁特性更均匀化了的垂直磁记录介质的制造方法。该垂直磁记录介质的制造方法包括：准备非磁性基板的工序；在非磁性基板上层叠磁记录层的工序；以及将层叠有磁记录层的非磁性基板加热到400℃～600℃的温度的工序，其中，工序(B)至少包括形成第1磁记录层的工序和在第1磁记录层上形成第2磁记录层的工序，第1磁记录层具有包括由有序合金构成的第1磁性晶粒和包围它的由碳构成的第1非磁性晶界的粒状构造，第2磁记录层具有包括由有序合金构成的第2磁性晶粒和包围它的通过由硼和碳构成的非磁性材料来构成的第2非磁性晶界的粒状构造。

公开(公告)号：CN101996734B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200910091793.1

申请日：2009-08-25

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 刘涛 ,  蔡建旺

IPC分类号： H01F10/32 ,  H01F10/26 ,  H01F10/30

摘要： 本发明提供一种线性响应巨磁效应多层膜，该多层膜主要用作为巨磁电阻传感器的核心部件。该多层膜的特点在于其自由层为复合自由层，它在具有垂直耦合的多层膜“反铁磁偏置层/铁磁层/反铁磁间隔层/铁磁自由层”或者其反结构中“反铁磁间隔层”的上下两界面的任一处或两处插入一定厚度范围的非磁的“调控间隔层”。“调控间隔层”的插入可以很好地起到优化“铁磁自由层”线性度、大大降低其矫顽力的作用；此外，本发明通过改变“调控间隔层”的厚度可以调控“铁磁自由层”和“铁磁层”的垂直耦合强度从而调控“铁磁自由层”在垂直“铁磁层”钉扎方向的各向异性场的大小，亦即巨磁电阻传感器的磁场线性响应范围。

公开(公告)号：CN102792478A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180011721.7

申请日：2011-08-04

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 松川望 ,  小田川明弘 ,  松下明生

IPC分类号： H01L43/10 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01F41/302 ,  H01L43/10

摘要： 本发明的磁性隧道结元件包括第一强磁性体层、第二强磁性体层、以及在第一强磁性体层与第二强磁性体层之间形成的绝缘体层。绝缘体层由添加有氟的MgO构成。绝缘体层的氟的添加量为0.00487atm%以上0.15080atm%以下。该元件具有MgO绝缘体层，并且与现有的具有MgO绝缘体层的元件相比表现出高的磁阻变化特性。优选氟的添加量为0.00487atm%以上0.05256atm%以下。

公开(公告)号：CN101542767B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200880000586.4

申请日：2008-06-06

申请人： 佳能安内华股份有限公司

发明人： 恒川孝二 ,  永峰佳纪

IPC分类号： H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01F41/18 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/302 ,  H01L27/228

摘要： 本发明提供隧道磁阻薄膜及磁性多层膜制作装置。在维持用作交换耦合用非磁性层的Ru层为薄膜的状态下，改良耐热性，即使经过高温退火，Ru层也良好地呈现交换耦合磁场，MR比高。在隧道磁阻薄膜中，将夹着交换耦合用非磁性层(5)层叠的第一磁化固定层(4)及第二磁化固定层(6)中的至少一层做成由互不相同的磁性材料构成的2层以上的层叠结构。

公开(公告)号：CN116959837A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310928298.1

申请日：2023-07-26

申请人： 国网智能电网研究院有限公司 ,  国网重庆市电力公司电力科学研究院

发明人： 梁先锋 ,  黄辉 ,  王冠鹰 ,  鞠登峰 ,  邓辉 ,  田文锋 ,  蒋西平

IPC分类号： H01F7/00 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  G01R33/02 ,  G01R15/00

摘要： 本发明涉及磁通聚集技术领域，公开了一种多气隙式微型磁通聚集器，该多气隙式微型磁通聚集器包括：第一软磁体和第二软磁体，所述第一软磁体和所述第二软磁体相对设置，且所述第一软磁体和所述第二软磁体之间形成可用于放置阵列式磁场敏感单元的气隙；至少一个第三软磁体，所述第三软磁体设置于阵列式磁场敏感单元的间隙中，将所述气隙分割为若干子气隙。本发明实施例的多气隙式微型磁通聚集器，通过在阵列式磁场敏感单元的间隙中设置第三软磁体，将第一软磁体和第二软磁体之间的气隙分割为若干子气隙，以保证在磁场敏感单元尺寸不变的情况下，缩小气隙间距，提高磁场增益效果和磁场均匀性，增强聚磁效果。

公开(公告)号：CN111512457B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN201880083509.3

申请日：2018-12-19

申请人： 阿尔卑斯阿尔派株式会社

发明人： 斋藤正路

IPC分类号： H10N50/85 ,  H10N50/10 ,  G01R33/09 ,  H01F10/30

摘要： 具有强磁场耐性的磁场施加偏置膜(11)具备交换耦合膜(10)，该交换耦合膜(10)具有永久磁石层(3)和在永久磁石层(3)层叠的反强磁性层(4)，反强磁性层(4)具备X(Cr‑Mn)层，该X(Cr‑Mn)层含有从由铂族元素以及Ni构成的组中选择的一种或者两种以上的元素X、以及Mn及Cr，X(Cr‑Mn)层具有：距永久磁石层(3)相对较近的第1区域(R1)、和距永久磁石层(3)相对较远的第2区域(R2)，第1区域(R1)中的Mn含有量高于第2区域(R2)中的Mn含有量。