Invention Grant
- Patent Title: 一种具有成分与孔隙双梯度过渡层的网状结构件制备方法
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Application No.: CN201610673337.8Application Date: 2016-08-16
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Publication No.: CN106270517BPublication Date: 2018-08-17
- Inventor: 魏青松 , 韩昌骏 , 王倩 , 闫春泽 , 刘洁 , 史玉升
- Applicant: 华中科技大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Assignee: 华中科技大学
- Current Assignee: 华中科技大学
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Agency: 华中科技大学专利中心
- Agent 张彩锦
- Main IPC: B22F3/11
- IPC: B22F3/11 ; B33Y10/00

Abstract:
本发明公开了一种具有成分与孔隙双梯度过渡层的网状结构件制备方法,包括如下步骤:1)设计具有仿生单元拓扑的孔隙尺度呈梯度变化的网状结构的三维模型,将其切片处理后转化为STL文件,并导入SLM成形装备中;2)按预设配比将多种粉末进行均匀混合,混合后的粉末进行送铺粉;3)激光扫描成形网状结构件的当前切片层,结束后使其下降一个铺粉层厚的高度,然后采用当前配比混合粉末进行下一切片层成形;4)重复步骤3)直至采用同一配比粉末完成设定高度的成形;完成下一配比粉末的混合,并进行送铺粉;5)重复步骤3)‑4),直至完成多种成分梯度过渡下整个网状结构件的成形。本发明具有制备效率高,制备工艺流程简单,成本低等优点。
Public/Granted literature
- CN106270517A 一种具有成分与孔隙双梯度过渡层的网状结构件制备方法 Public/Granted day:2017-01-04
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